无锡昌德微电子股份有限公司专利技术

无锡昌德微电子股份有限公司共有43项专利

  • 本申请公开了芯片封装结构,涉及芯片封装技术领域。本申请包括:基板,其顶部构造有安装槽,所述基板的周侧安装有多个引脚,且多个所述引脚的端部位于所述安装槽内。本申请通过采用支撑结构的设计,可以在基板的引脚锡焊在电路板上时,将基板底部抬起,以...
  • 本发明属于
  • 本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种中高压肖特基二极管芯片结构其制备方法,包括衬底和金属层,所述金属层位于衬底下表面,所述衬底上表面从下至上依次设置有外延层一和外延层二,所述外延层二上表面设置有钝化层,且所述钝化层为开口,所述外延...
  • 本实用新型公开了一种音响管的安装固定机构,属于影音电器技术领域,一种音响管的安装固定机构,包括功放管,所述功放管侧壁开设有圆槽,所述圆槽内设置有圆筒,所述圆筒内活动连接有圆柱,所述圆筒与圆柱之间设置有卡接机构,所述圆柱顶面与圆筒底面分别...
  • 本实用新型公开了一种音响管的成型结构,属于音响设备生产领域,一种音响管的成型结构,包括下模座,下模座的上表面垂直开设有型腔,型腔的上开口为倒圆台结构且下开口为同轴的圆柱结构,下模座的上方设置有上模座,下模座的一侧开设有进风窗,下模座的内...
  • 本实用新型公开了一种半导体器件高温性能试验装置,属于半导体器件技术领域,一种半导体器件高温性能试验装置,包括箱体,箱体的底端内壁上固定有放置台,放置台的顶端外壁上开设有两个插接槽,插接槽的底端内壁上安装有检测金属触片,箱体的一侧上安装有...
  • 本实用新型公开了一种晶体管晶圆检测装置,属于晶体管晶圆检测技术领域,一种晶体管晶圆检测装置,包括底座,底座的顶端外壁上固定有检测台,检测台的顶端外壁上开设有凹槽,凹槽的底端内壁上开设有锥形槽,检测台位于凹槽一侧的顶端外壁上固定有安装板,...
  • 本实用新型公开了一种BJT音响管安全工作区检测装置,属于三极管技术领域,一种BJT音响管安全工作区检测装置,包括箱体,所述箱体左右侧壁分别开设有横槽,所述箱体左右侧壁分别固定连接有两个直板,所述直板侧壁固定连接有圆轴,左侧所述圆轴侧壁设...
  • 本发明公开了一种高压可控硅芯蚀刻机,属于蚀刻机领域,一种高压可控硅芯蚀刻机,包括蚀刻机本体,所述蚀刻机本体顶面安装有控制器,所述蚀刻机本体内腔靠近上侧处为蚀刻腔,所述蚀刻腔设置有蚀刻机构,所述蚀刻机本体后侧壁固定连接有壳体,所述壳体内腔...
  • 本发明公开了一种高可靠性均流设计的音频晶体管,属于晶体管领域,一种高可靠性均流设计的音频晶体管,包括电路板和晶体管外壳,所述电路板位于晶体管外壳内部,所述电路板上表面设置有集电区,所述集电区上表面连接有基区,所述基区表面嵌接有发射区,所...
  • 本实用新型公开了新型功率集成二极管,属于二极管领域,新型功率集成二极管,包括PN结和防护壳,PN结装配在防护壳的内部,PN结上装配有延伸至防护壳外侧的电极杆,防护壳的内部还开设有储存腔,储存腔的内部填装有相变隔离层,储存腔远离PN结一侧...
  • 本发明公开了一种MOS芯片蚀刻废物回收再利用装置,涉及MOS芯片加工技术领域。本发明包括回收箱、过滤组件、组合架、输管组件和气泵,回收箱的内部安设有三个仓室,每个仓室内均摆放有一组并排的所述过滤组件,每个仓室的顶部均匹配有可拆卸的密封盖...
  • 本发明属于MOS芯片生产技术领域,且公开了一种MOS芯片生产用测试装置,包括底座,所述底座的上方设有固定盘,所述固定盘的外侧面等角度固定安装有支撑座,所述固定盘通过支撑座与底座的顶端固定连接,所述固定盘的上方设有活动盘。本发明通过利用伺...
  • 本发明公开了一种抗冲击性强的硅芯片结构,涉及硅芯片技术领域。本发明包括搭载护壳结构、多段抗冲击保护结构和硅芯片主体,搭载护壳结构的内侧通过螺钉固定连接有硅芯片主体,搭载护壳结构的顶端固定连接有多段抗冲击保护结构,搭载护壳结构包括搭载保护...
  • 本发明公开了一种硅芯片双面光刻精细对准装置,属于硅芯片加工领域,一种硅芯片双面光刻精细对准装置,包括底板,所述底板顶面对称设置有两个活动板,所述活动板远离底板中心一侧侧壁靠近顶面处均安装有步进电机,所述步进电机输出轴上均固定连接有转轴,...
  • 本发明公开了一种晶圆用高效剥膜装置及剥膜工艺,属于晶圆加工领域,一种晶圆用高效剥膜装置,包括机架,机架的上部设置有运输带,运输带上设置有若干个晶圆固定架,晶圆固定架上装配有晶圆本体和膜片的组合体,运输带的一端为起始端,另一端为终点端,机...
  • 本发明公开了一种应用于晶圆的智能化匀胶装置及匀胶工艺,属于半导体技术领域,包括机体、设置于机体上的控制组件、载台以及用于吸附并驱动载台旋转的吸附驱动组件,所述机体顶面中心开设有安装槽,所述吸附驱动组件安装于所述安装槽内部中心,所述载台安...
  • 本发明公开了一种高耐压肖特基芯片,包括芯片主体和保护套,所述保护套活动套设在芯片主体上,所述芯片主体上设有焊接引脚,所述芯片主体两侧壁上均设有齿牙,所述保护套内部设有多个与焊接引脚匹配的引脚保护插槽,所述引脚保护插槽内壁上环设有弹性海绵...
  • 本实用新型公开了一种新型大功率音响用芯片散热结构,涉及音响芯片技术领域。本实用新型包括芯片主体,芯片主体的两侧固定有第一矩形架,第一矩形架的内部均滑动连接有矩形块,矩形块的内部均滑动连接有圆形杆,且圆形杆均与芯片主体固定连接,圆形杆的周...
  • 本发明公开了一种功率集成二极管及其制造方法,包括高压慢恢复二极管、多晶硅二极管和多晶硅电阻,该发明中:功率集成二极管中的阻尼电阻Rdamp能使震荡进行衰减,改善了EMI性能;并联二级管Dclp_2能提升电路效率,且对Mosfet上的尖峰...