【技术实现步骤摘要】
一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法
[0001]本专利技术属于半导体器件
,具体涉及一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法
。
技术介绍
[0002]中高压肖特基二极管芯片是
—
种特殊的二极管芯片,具有较高的耐压能力
。
肖特基二极管是
—
种由金属和半导体材料构成的二极管,其特点是具有较高的开关速度
、
低反向漏电流和较低的正向压降
。
而中高压肖特基二极管芯片则特指可承受中高电压的肖特基二极管
。
[0003]中高压肖特基二极管芯片广泛应用于电源管理
、
电力转换
、
驱动控制等领域
。
其高耐压能力使得它能够承受较高的电压,同时其快速开关特性也使得其在高频电路中表现出色
。
此外,中高压肖特基二极管芯片还具有低反向漏电流和低热发射特性,从而减少了功耗和热量损失
。
[0004]肖特基二极管芯片主要结构一般由
P
型半导体区域
、N
形半导体区域
、
肖特基势垒和金属电极部分组成,此种结构使得肖特基二极管芯片具有特性性能,如快速开关速度
、
低反向漏电流和较低的正向压降等
。
[0005]目前所使用的肖特基二极管芯片上的金属层一般为单层金属结构,部分会采用多层不同材质的金属材质,用于提升芯片的性能;如专利号为:
CN20221 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在于:包括衬底(1)和金属层(2),所述金属层(2)位于衬底(1)下表面,所述衬底(1)上表面从下至上依次设置有外延层一(6)和外延层二(7),所述外延层二(7)上表面设置有钝化层(8),且所述钝化层(8)为开口,所述外延层二(7)上表面位于钝化层(8)开口处设置有势垒结构(9);所述钝化层(8)开口处还设置有金属电板(
13
)和外金属层(
14
);所述金属层(2)还包括铝金属层(3)
、
金金属层(4)和铂金属层(5),所述铝金属层(3)
、
金金属层(4)和铂金属层(5)从上至下依次排列
。2.
根据权利要求1所述的一种中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在于:所述钝化层(8)开口处位于势垒结构(9)上侧设置有
P
型保护环(
11
),所述
P
型保护环(
11
)内圈设置有
N
型离子层(
10
)
。3.
根据权利要求2所述的一种中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在于:所述
N
型离子层(
10
)与金属电板(
13
)之间设置有肖特基金属
PT
界面(
12
)
。4.
根据权利要求1所述的一种中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在于:所述外延层二(7)上表面设置有若干个微孔(
15
),所述势垒结构(9)与微孔(
15
)对应
。5.
根据权利要求1所述的一种中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在于:所述势垒结构(9)材质采用硅
、
砷化镓和碳化硅中的任意一种
。6.
根据权利要求2所述的一种中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在于:所述
N
型离子层(
10
)材质为砷化镓或硅,所述
P
型保护环(
11
)材质为砷化镓或碳化硅
。7.
根据权利要求1所述的一种中高压肖特基二极管芯片结构,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄昌民,张志奇,黄富强,陈小金,
申请(专利权)人:无锡昌德微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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