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本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种中高压肖特基二极管芯片结构其制备方法，包括衬底和金属层，所述金属层位于衬底下表面，所述衬底上表面从下至上依次设置有外延层一和外延层二，所述外延层二上表面设置有钝化层，且所述钝化层为开口，所述外延层二...
该专利属于无锡昌德微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡昌德微电子股份有限公司授权不得商用。

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