本实用新型提出一种半导体设备，该半导体设备包括：生长腔体；清洗腔体，连接于所述生长腔体之前；其中，当基板设置在所述清洗腔体内时，所述清洗腔体内形成等离子体，所述等离子体用于对所述基板进行清洗。本实用新型提出的半导体设备设计合理，能够提高...

本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；其中，所述基座包括：一加热器，设置在所述基座上；一测温装置，包括多个测温点，...

本实用新型提出一种物理气相沉积设备，包括：生长腔体；至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；多个第二载台，设置在所述第一载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。本实用新型提出的物理气相沉积设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。

本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；其中，所述基座连接一旋转机构，所述旋转机构带动所述基座旋转。本实用新型提出的...

本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；其中，所述磁体连接一驱动机构，所述驱动机构带动所述磁体移动或转动，所述磁体与...

本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对位置上；其中，所述生长腔体上设置至少两个进气口，所述至少两个进气口是设置于所述生长腔体...

本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材相对的位置上；其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。本实用新型提出的半...

本实用新型提出一种半导体设备，该半导体设备包括：过渡腔体，设置在生长腔体之前；至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；冷却板，设置在所述过渡腔体内，所...

本实用新型公开一种氮化镓外延层及半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、纳米缓冲层、第二缓冲层、势垒层、介质层、源极、漏极和栅极。本实用新型解决了半导体器件中衬底与势垒层之间晶格失配度较大的问题。

本实用新型公开属于一种半导体器件，属于半导体技术领域。本实用新型的半导体器件，包括：衬底、多层缓冲层构成的复合缓冲区、具有比缓冲区的带隙宽的带隙的阻挡区、盖帽区、多层绝缘层构成的复合绝缘区、源极、漏极、栅电极。本实用新型解决了现有的半导...

本实用新型公开了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括基板；第一部分，其设置在所述基板上，所述第一部分包括HEMT结构；第二部分，其设置在所述基板上与所述第一部分横向连接，且所述第二部分与所述第一部分共面且彼此电...

本实用新型公开一种氮化镓外延层、半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、后处理层、第二缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极接触孔、第一阳极、介质层、第二阳极接触孔、第二阳极、阴极接触孔、阴极、保护...

本实用新型公开一种氮化镓外延层及半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极、介质层、第二阳极、阴极、保护层、阳极导通金属、阴极导通金属和场板层。本...

本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；多层反射板，设置在所述生长腔体的内壁上。本实用新型提出的半导体设备结构简单，...

本发明提出一种物理气相沉积设备，包括：生长腔体；至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；多个第二载台，设置在所述第一载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。本发明提出的物理气相沉积设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。

本发明提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材相对的位置上；其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。本发明提出的半导体设备...

本发明提出一种半导体设备及其使用方法，该半导体设备包括：过渡腔体，设置在生长腔体之前；至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；冷却板，设置在所述过渡腔...

本发明提出一种半导体设备，该半导体设备包括：生长腔体；清洗腔体，连接于所述生长腔体之前；其中，当基板设置在所述清洗腔体内时，所述清洗腔体内允许形成等离子体，所述等离子体用于对所述基板进行清洗。本发明提出的半导体设备能够提高镀膜的均匀性。

本发明公开一种氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、后处理层、第二缓冲层；势垒层、钝化层、第一阳极接触孔、第一阳极、介质层、第二阳极接触孔、第二阳极、阴极...

本发明公开一种氮化镓外延层、半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极、介质层、第二阳极、阴极、保护层、阳极导通金属、阴极导通金属和场板层...