【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备
本技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体设备。
技术介绍
在半导体工业集成电路制造行业中，多采用磁控溅射(MagnetronSputtering)技术，主要用于铝、铜等金属薄膜的沉积，以构成金属接触、金属互连线等。工艺中，磁控溅射过程可为：工艺腔室中的电子在电场作用下向基片运动，在飞向基片的过程中与氩原子碰撞，使氩原子电离得到带正电的氩离子和二次电子；其中，氩离子向具有负电势的靶材方向加速运动的过程中获得动量，轰击靶材使靶材发生溅射，以生成溅射粒子；二次电子在电场和外加磁铁产生的磁场的作用下，其运动轨迹近似于一条摆线，二次电子在沿其轨迹运动的过程中继续碰撞氩原子以电离得到新的氩离子和新的二次电子；再者，氩离子轰击靶材所生成溅射粒子中的中性靶材原子或分子迁移到硅片表面，并通过沉积的方式在硅片表面凝聚以形成薄膜，该薄膜具有和靶材基本相同的组份；且在由氩离子轰击靶材时所产生的尾气或其它杂质可由真空泵抽走。但是现有技术中工艺腔体内温度一般较高，长时间在较高温度在进行工作，会导致工艺腔体的内壁或外壁发生变形，影...
【技术保护点】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：/n生长腔体；/n基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；/n靶材，设置在所述生长腔体内；/n磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；/n多层反射板，设置在所述生长腔体的内壁上。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
生长腔体；
基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；
靶材，设置在所述生长腔体内；
磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；
多层反射板，设置在所述生长腔体的内壁上。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述生长腔体的内壁上设置多个卡箍，所述卡箍包括多个卡槽。
3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：从所述生长腔体的内壁从内到外依次设置第一反射板及第二反射板。
4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于：所述第一反射板及所述第二反射板设置在所述多个卡槽中。
5.根据权利要求4所述的半导体设备，其特征在于：所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，游宗龙，刘美华，李方华，児玉晃，板垣克則，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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