本发明公开一种功率半导体器件，包括：半导体衬底、第一缓冲层、后处理层、第二缓冲层、第三缓冲层；势垒层、钝化层、第一阳极接触孔、第一阳极、介质层、第二阳极接触孔、第二阳极、阴极接触孔、阴极、保护层、阳极开孔、阳极导通金属、阴极开孔、阴极导...

本技术公开了一种半导体高温退火设备，所述半导体高温退火设备包括：退火腔体，设置有至少一炉门；工作台，设置在所述退火腔体内；加热装置，设置在所述退火腔体内；退火箱，设置在所述工作台上。通过本技术提供的一种半导体高温退火设备，可提高晶圆的退...

本申请提出一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：背板；发光二极管芯片；扩散板，设置在所述发光二极管芯片上；光学膜，设置在所述扩散板上；以及液晶显示面板。液晶显示面板包括阵列基板；彩膜基板，与所述阵列基板对盒设置；胶框，将所述彩膜基板与所述...

本技术及半导体技术领域，特别是涉及一种天车装置及物料搬运系统，所述天车装置包括：行走组件，移动连接于天车轨道上；升降组件，连接于所述行驶组件上；抓取组件，连接于所述升降组件的输出端，用以抓取或松开晶圆盒；以及传感器组件，连接于所述抓取组...

本发明公开了一种功率器件及其应用与制造方法，所述功率器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；第一氮化镓层，设置在所述势垒层上，且覆盖所述势垒层；第二氮化镓层，设置在所述第一氮化镓层上；第三氮化镓层，设置在所...

本申请提出一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：背板；发光二极管芯片；扩散板，设置在所述发光二极管芯片上；光学膜，设置在所述扩散板上；以及液晶显示面板。发光二极管芯片的第一焊接电极和第二焊接电极的厚度为1um～50um。液晶显示面板包括阵...

本发明公开了一种射频元件及其应用与制造方法，所述射频元件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；第一氮化镓层，设置在所述势垒层上，且覆盖所述势垒层；第二氮化镓层，设置在所述第一氮化镓层上；第三氮化镓层，设置在所...

本发明公开一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极、介质层、第二阳极、阴极、保护层、阳极导通金属、阴极导通金属和场板层。本发明解决了功...

本发明提出一种半导体设备的使用方法，包括：将基板放置在载台的托盘上；对过渡腔体进行抽真空处理，直至过渡腔体进入真空状态；控制杆带动第一载台与第二载台沿着预设路径移动，以使基板依次经过过渡腔体、传送腔体、清洗腔体、预热腔体以及生长腔体，以...

本发明提出一种形成缓冲层的方法，包括:通过物理气相沉积设备形成所述缓冲层，所述物理气相沉积设备包括：生长腔体；至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；多个第二载台，设置在所述第一载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。本发...

本申请提出一种液晶显示器，包括：背板，呈半包设置，且所述背板具有一开口；发光二极管芯片，安装在所述背板的底壁上，且所述发光二极管芯片包括发光外延层，以及设置在发光外延层一侧的光转换层；扩散板，设置在所述开口上，且覆盖所述开口；光学膜，设...

本发明提出一种发光二极管芯粒的分选方法及系统，且所述发光二极管芯粒的分选方法包括：检测母片上每个发光二极管芯粒的波长；依据每个所述发光二极管芯粒的波长，获取所有发光二极管芯粒的波长排布图；在每个波段范围中，依据所述子片中所需的发光二极管...

本发明提出一种发光二极管及其制作方法与发光二极管显示面板，且所述发光二极管包括：衬底，具有相对的第一表面及第二表面；第一外延结构，设置在所述衬底的第一表面上，且所述第一外延结构包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，...

本发明提出一种发光二极管及其制作方法与发光二极管显示面板，且所述发光二极管包括：衬底；第一外延结构，设置在所述衬底上，且所述第一外延结构包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层连接；第二电极，与所述...

本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用。且所述半导体结构包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底上；电阻层，设置在所述第一半导体层上；有源层，设置在所述电阻层上；以及第二半导体层，设置在所述有源层上。通过本实用新型提供的一种半导体外延...

本发明公开了一种半导体器件及其应用，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；漏极，设置在所述势垒层上，且与所述沟道层接触；源极，设置在所述势垒层上，且与所述沟道层接触；栅极，设置在所述势垒层上，且...

本发明提出一种发光二极管及其应用，包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底上；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上；第一导电结构，设置在所述第一半导体层上；以及第二导电结构，设置在所述第二半导体层上；其中，...

本发明提出一种发光二极管，包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底的上；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上；第一电极，设置在所述第一半导体层上；第二电极，设置在所述第二半导体层上；以及金属叠层，设置在所述...

本发明提出一种发光二极管及其应用，且所述发光二极管包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上；透明导电层，设置在所述半导体外延结构上；第一填平层，设置在所述透明导电层上；第二填平层，设置在所述第一填平层电层上，且所述第一填平层的颗粒密...

本发明公开了一种半导体器件及其应用与制造方法，所述半导体器件包括：衬底；第一沟道层，设置在所述衬底上；第一插入层，设置在所述第一沟道层上；第二沟道层，设置在所述插入层上；势垒层，设置在所述第二沟道层上；漏极，设置在所述势垒层上，且与所述...