本发明公开了一种半导体器件及其应用与制造方法，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；漏极，设置在所述势垒层上，且与所述沟道层接触；栅极，设置在所述势垒层上，且所述栅极环绕所述漏极设置；以及源极，...

本发明公开了一种半导体器件及其应用与制造方法，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；栅介质层，设置在所述势垒层上；漏极，设置在所述栅介质层上，且与所述沟道层接触；源极，设置在所述栅介质层上，且与...

本发明公开了一种半导体器件及其应用与制造方法，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；第一氮化镓层，设置在所述势垒层上，且覆盖所述势垒层；第二氮化镓层，设置在所述第一氮化镓层上；第三氮化镓层，设置...

本发明提出一种发光二极管及其应用，包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底的一侧；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上；第一电极，设置在所述第一半导体层上；第二电极，设置在所述第二半导体层上；以及散光叠层，...

本实用新型提出一种半导体结构及其应用，所述半导体外延结构包括第一氮化镓层；第二氮化镓层，形成于所述第一氮化镓层上，其中，所述第一氮化镓层包括柱状晶体结构。通过本实用新型提供的一种半导体结构，可提高所述半导体结构的质量。构的质量。构的质量。

本实用新型提出一种半导体结构及其应用，所述半导体外延结构包括基板；氮化铝层，形成于所述基板上；氮化镓层，形成于所述氮化铝层上；以及多个微凹部，形成于所述基板的上表面。通过本实用新型提供的一种半导体结构，可提高所述半导体结构的质量。所述半...

本实用新型提出一种发光二极管面板及其应用，所述发光二极管面板包括：电路基板；多个发光二极管芯片，设置于所述电路基板上；以及波长转换层，设置于所述发光二极管芯片上；其中，所述发光二极管芯片包括：多个发光二极管；多个电性连接件，分别连接于所...

本实用新型提出一种发光二极管芯片及其应用，所述发光二极管芯片包括：多个发光二极管；多个电性连接件，分别连接于所述多个发光二极管；以及封装体，封装体将多个所述发光二极管整合成所述发光二极管芯片。通过本实用新型提供的一种发光二极管芯片及其应...

本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，所述半导体外延结构包括基板；第一氮化铝层，形成于所述基板上；第一氮化镓层，形成于所述氮化铝层上；第二氮化铝层，形成于所述第一氮化镓层上；以及第二氮化镓层，形成于所述第二氮化铝层上。通过本实用新型...

本发明提出一种半导体基板上的薄膜生长方法及其应用，所述半导体基板上的薄膜生长方法包括提供一基板于腔体内；对所述腔体内的基板进行加热；在所述基板上形成薄膜，其中当形成所述薄膜时，相对温度是大于等于0.1，所述相对温度是所述基板温度与所述薄...

本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，所述半导体外延结构包括基板，形成于所述基板上的氮化铝层，形成于所述氮化铝层上的第一氮化铝镓层，形成于所述第一氮化铝镓层上的第二氮化铝镓层，形成于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓层，其中，所述第一氮化...

本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，所述半导体外延结构包括基板，第一氮化镓层，以及第二氮化镓层，第二氮化镓层形成于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构。通过本发明提供的一种半导体...

本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，所述半导体外延结构包括基板，低温氮化铝层，形成于所述基板上；以及高温氮化镓缓冲层，形成于所述低温氮化铝层上。通过本发明提供的一种半导体外延结构，可获得较无裂纹，表面形貌光滑的高质量的半导体...

本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，所述半导体外延结构包括基板；第一氮化镓层，形成于所述基板上，其中所述第一氮化镓层是通过物理气相沉积方式来形成；第二氮化镓层，形成于所述第一氮化镓层上。通过本发明提供的一种半导体外延结构，可...

本发明提出一种发光二极管芯片及其应用，所述发光二极管芯片包括：多个发光二极管；多个电性连接件，分别连接于所述多个发光二极管；以及封装体，将多个所述发光二极管整合成所述发光二极管芯片；其中，所述多个发光二极管具有相同的光色。通过本发明提供...

本发明提出一种微型发光二极管结构的制造方法，所述微型发光二极管结构的制造方法包括：提供一生长基板；形成一缓冲层于所述生长基板上；形成第一半导体层于所述缓冲层上；形成发光层于所述第一半导体层上；形成第二半导体层于所述发光层上；将所述第一半...

本发明提出一种半导体沉积设备及半导体设备系统，包括：传送腔体，所述传送腔体内设置有机械臂；至少一可拆卸腔体，设置在所述传送腔体内的外侧，所述机械臂将基板放置在所述可拆卸腔体内，以在所述基板上沉积薄膜；进气管路，连接所述可拆卸腔体，用于向...

本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体功率器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于...

本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，所述半导体外延结构包括基板，形成于所述基板上的氮化铝层，形成于所述氮化铝层上的第一氮化铝镓层，形成于所述第一氮化铝镓层上的第二氮化铝镓层，形成于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓层，其中，所述第...

本实用新型一种半导体设备，包括：生长腔体；预热腔体，连接在所述生长腔体之前；至少一加热器，设置在所述预热腔体内，所述至少一加热器设置在基板的下方，通过所述至少一加热器对所述基板进行加热。本实用新型的半导体设备设计合理，结构简单，工作效率高。