一种半导体器件及其应用与制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其应用与制造方法，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；第一氮化镓层，设置在所述势垒层上，且覆盖所述势垒层；第二氮化镓层，设置在所述第一氮化镓层上；第三氮化镓层，设置在所述第二氮化镓层上；第一漏极，设置在所述第三氮化镓层上；第一源极，设置在所述第三氮化镓层上，且所述第一源极和所述第一漏极之间形成凹部；以及第一栅极，设置在所述势垒层上，且所述第一栅极覆盖所述凹部，以及所述第一源极和所述第一漏极靠近所述凹部的顶部；其中，所述第二氮化镓层和所述第三氮化镓层位于所述源极和所述漏极与所述势垒层之。通过本发明专利技术提供的一种半导体器件，可改善集成半导体器件的质量。可改善集成半导体器件的质量。可改善集成半导体器件的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其应用与制造方法


[0001]本专利技术属于半导体
，特别涉及一种半导体器件及其应用与制造方法。

技术介绍

[0002]氮化镓作为宽禁带半导体具有高击穿电场，高电子饱和速度和迁移率的特点，因而氮化镓基功率器件可用于新一代的高功率转换器的制备，目前的氮化镓基功率器件为横向的异质结AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件。由于氮化镓中的空穴迁移率较低，且很难实现该材料中的高P型掺杂，且缺少单片互补P型场效应晶体管(Field Effect Transistor，FET)，使得难以形成集成高性能逻辑电路和反向放大器级。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其应用与制造方法，通过本专利技术提供的一种半导体器件及其应用与制造方法，提供一种具有场效应晶体管的单片集成器件。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
[0005]本专利技术提供一种半导体器件，其至少包括：
[0006]所述半导体器件包括第一器件，且所述第一器件包括：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括第一器件，且所述第一器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；第一氮化镓层，设置在所述势垒层上，且覆盖所述势垒层；第二氮化镓层，设置在所述第一氮化镓层上；第三氮化镓层，设置在所述第二氮化镓层上；第一漏极，设置在所述第三氮化镓层上；第一源极，设置在所述第三氮化镓层上，且所述第一源极和所述第一漏极之间形成凹部；以及第一栅极，设置在所述势垒层上，且所述第一栅极覆盖所述凹部，以及所述第一源极和所述第一漏极靠近所述凹部的顶部；其中，所述第二氮化镓层和所述第三氮化镓层位于所述源极和所述漏极与所述势垒层之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化镓层为非故意掺杂的氮化镓层。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氮化镓层为掺杂的P型氮化镓层，且掺杂浓度为1e19cm
‑3‑
2e19cm
‑3。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三氮化镓层为重掺杂的P型氮化镓层且掺杂浓度为5e19cm
‑3‑
6e19cm
‑3。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括氧化层，所述氧化层设置在所述栅极和所述第一氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，石黎梦，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：发明
国别省市：