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本发明公开了一种半导体器件及其应用与制造方法，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；第一氮化镓层，设置在所述势垒层上，且覆盖所述势垒层；第二氮化镓层，设置在所述第一氮化镓层上；第三氮化镓层，设置在所...
该专利属于深圳市晶相技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶相技术有限公司授权不得商用。

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