半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括势垒层、介电层、第一间隔件、第二间隔件以及栅极。介电层其安置于势垒层上并且界定第一凹部。第一间隔件安置于第一凹部内。第二间隔件安置于第一凹部内，并与第一间隔件分隔开，其中势垒层包括介于第一间隔件与第二间隔件之间的第二凹部。栅极安置于第一间隔件与第二间隔件之间，并填充至势垒层的第二凹部内，以接触势垒层，其中栅极界定栅极凹部。栅极凹部。栅极凹部。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请是2020年03月25日提交的题为“半导体装置和其制造方法”的中国专利申请202080000989.X的分案申请。


[0002]本公开涉及一种半导体装置，且更具体地说，涉及高电子迁移率半导体装置和其制造方法。

技术介绍

[0003]高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种类别的场效应晶体管。不同于金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管，HEMT使用具有不同能隙的两种材料形成异质结。异质结的极化会在沟道层中形成二维电子气体(2DEG)区，从而提供用于载体的沟道。HEMT由于其高频率特性而引起格外关注。因为其可在高频率下工作，所以广泛用于各种射频(RF)装置或移动装置中。
[0004]在RF应用中，HEMT的栅极轮廓可影响HEMT的频率特性和/或性能。为了制造具有所要栅极轮廓的HEMT，具有特定精确度要求的机器可为必要的且因此可引起高制造成本。因此，需要提供解决以上问题的半导体装置和其制造方法。

技术实现思路

[0005]在本公开的一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含势垒层、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：势垒层；介电层，其安置于所述势垒层上并且界定第一凹部；第一间隔件，其安置于所述第一凹部内；第二间隔件，其安置于所述第一凹部内，并与所述第一间隔件分隔开，其中所述势垒层包括介于所述第一间隔件与所述第二间隔件之间的第二凹部；以及栅极，其安置于所述第一间隔件与所述第二间隔件之间，并填充至所述势垒层的所述第二凹部内，以接触所述势垒层，其中所述栅极界定栅极凹部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二凹部的底部包括倾斜表面。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二凹部的底部还包括水平表面，且所述水平表面的位置低于所述倾斜表面的位置。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述水平表面直接连接所述倾斜表面。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一间隔件接触所述势垒层而形成界面，其中所述界面和所述倾斜表面的最浅部分之间存在第一深度，其中所述界面和所述水平表面之间存在第二深度，且所述第二深度与所述第一深度相异。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第二深度大于所述第一深度。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极接触所述第一间隔件而形成界面，且所述界面为相对粗糙表面。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极接触所述介电层而形成界面，且所述界面为相对粗糙表面。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一间隔件包含在所述介电层的表面上延伸的部分。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一间隔件的所述部分接触所述栅极并形成界面，且所述界面为相对粗糙表面。11.一种半导体装置，其包括：势垒层；介电层，其安置于所述势垒层上并且界定第一凹部；第一间隔件，其安置于所述第一凹部内；第二间隔件，其安置于所述第一凹部内，并与所述第一间隔件分隔开；栅极，其安置于所述间隔件的第一部分与所述间隔件的第二部分之间，其中所述栅极界定栅极凹部；以及第一保护层，其中所述第一保护层包括介于所述第一间隔件与所述介电层之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敬源，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：