一种发光二极管面板及其应用制造技术

本实用新型专利技术提出一种发光二极管面板及其应用，所述发光二极管面板包括：电路基板；多个发光二极管芯片，设置于所述电路基板上；以及波长转换层，设置于所述发光二极管芯片上；其中，所述发光二极管芯片包括：多个发光二极管；多个电性连接件，分别连接于所述多个发光二极管；以及封装体，将多个所述发光二极管整合成所述发光二极管芯片。通过本实用新型专利技术提供的发光二极管面板，使发光二极管面板具有更高的亮度、像素以及显示效果。像素以及显示效果。像素以及显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管面板及其应用
[0001]本专利是专利号为2020220774063，申请日为2020年9月21日，专利技术名称为“一种半导体外延结构及其应用”的分案申请。


[0002]本技术涉及半导体领域，特别涉及一种发光二极管面板及其应用。

技术介绍

[0003]微型发光二极管(Micro LED)是目前热门研究的下一代显示器的光源。微型发光二极管显示器具有低功率消耗、高亮度、超高分辨率、超高色彩饱和度、响应速度快、能耗低，及寿命长等优点。此外，微型发光二极管显示器的功率消耗量约为液晶显示器(LCD)的10％或有机发光二极管显示器(OLED)的50％。而与同样是自发光的OLED相比较，亮度高了30倍，且分辨率可以达到1500PPI(像素密度，Pixels Per Inch)。微型发光二极管显示器的的这些明显的优势，使得它有望取代现在的OLED和LCD，成为下一代的显示器。微型发光二极管目前还无法量产，是因为目前还有许多技术难题需要克服，其中一个重要的技术难题就是如何提高转印良率，提高面板质量。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的缺陷，本技术提出一种发光二极管面板及其应用，降低巨量转移的次数，提高了所述发光二管体面板的质量。
[0005]为实现上述目的及其他目的，本技术提出一种发光二极管面板，该发光二极管面板包括：
[0006]电路基板；
[0007]多个发光二极管芯片，设置于所述电路基板上；以及
[0008]波长转换层，设置于所述发光二极管芯片上；/>[0009]其中，所述发光二极管芯片包括：
[0010]多个发光二极管；
[0011]多个电性连接件，分别连接于所述多个发光二极管；以及
[0012]封装体，将多个所述发光二极管整合成所述发光二极管芯片。
[0013]在本技术一实施例中，所述多个发光二极管的光色相同。
[0014]在本技术一实施例中，所述多个发光二极管的光色不同。
[0015]在本技术一实施例中，相邻所述发光二极管芯片的间距小于所述发光二极管芯片的长度或宽度。
[0016]在本技术一实施例中，所述发光二极管面板还包括平坦化层，其设置于所述发光二极管芯片上。
[0017]在本技术一实施例中，所述发光二极管面板还包括光阻隔层，其设置于所述发光二极管芯片之间。
[0018]在本技术一实施例中，所述发光二极管面板还包括保护层，其设置于所述发光二极管芯片上。
[0019]在本技术一实施例中，所述发光二极管面板还包括保护基板，其设置于所述发光二极管芯片上。
[0020]在本技术一实施例中，所述发光二极管面板还包括透光基板，所述波长转换层形成于所述透光基板上。
[0021]本技术还提供一种电子装置，其包括所述发光二极管面板。
[0022]综上所述，通过本技术提出一种发光二管体面板及其应用，通过在所述发光二极管面板上设置多个发光二极管芯片，降低巨量转移的次数，提高了所述发光二极管面板的质量。同时所述发光二极管芯片中的发光二极管结构之间的间距设置较小，使所述发光二极管面板的像素更好。
附图说明
[0023]图1：本实施例提出的生长腔体的简要示意图。
[0024]图2：本实施例中基座的另一简要示意图。
[0025]图3：本实施例中基座的背面示意图。
[0026]图4：本实施例中加热器的简要示意图。
[0027]图5：本实施例中加热器另一简要示意图。
[0028]图6：本实施例中测温装置的简要示意图。
[0029]图7：本实施例中磁体的简要示意图。
[0030]图8至图9：本实施例中磁体的另一简要示意图。
[0031]图10：本实施例中反射板的简要示意图。
[0032]图11：本实施例中卡箍的简要示意图。
[0033]图12：本实施例中冷却装置的简要示意图。
[0034]图13：本实施例中进气口的简要示意图。
[0035]图14：本实施例中进气管道的简要示意图。
[0036]图15：本实施例中进气管道的底部简要示意图。
[0037]图16至图19：本实施例中进气口的另一简要示意图。
[0038]图20：本实施例提出的半导体设备的简要示意图。
[0039]图21：本实施例中过渡腔体的简要示意图。
[0040]图22：本实施例中冷却板的简要示意图。
[0041]图23：本实施例中底座的简要示意图。
[0042]图24：本实施例中载台及托盘的简要示意图。
[0043]图25：本实施例中清洗腔体的简要示意图。
[0044]图26：本实施例中升降旋转机构的简要示意图。
[0045]图27：本实施例中清洗腔体的另一简要示意图。
[0046]图28：本实施例中衬套及线圈组件的简要示意图。
[0047]图29：本实施例中预热腔体的简要示意图。
[0048]图30：本实施例中加热器的简要示意图。
[0049]图31：本实施例中加热线圈的简要示意图。
[0050]图32：本实施例中测温点的简要示意图。
[0051]图33：本实施例中半导体设备的使用方法流程图。
[0052]图34：本实施例中氮化铝镀膜的分析图。
[0053]图35：本实施例中氮化铝薄膜的电镜图。
[0054]图36：本实施例中氮化铝薄膜的摇摆曲线图。
[0055]图37：本实施例中一种半导体外延结构图。
[0056]图38至图40：本实施例中另一种半导体外延结构图。
[0057]图41：本实施例中一种发光二极管结构图。
[0058]图42：本实施例中另一种半导体外延结构图。
[0059]图43：本实施例中一种半导体功率器件结构图。
[0060]图44至图45：本实施例中一种半导体功外延结构图。
[0061]图46：本实施例中一种发光二极管结构图。
[0062]图47至图51：本实施例中一种微发光二极管形成图。
[0063]图52至图58：本实施例中一种微发光二极管芯片形成图。
[0064]图59至图68：本实施例中另一种微发光二极管芯片形成图。
[0065]图69至图76：本实施例中一种微发光二极管面板形成图。
[0066]图77至图83：本实施例中另一种微发光二极管面板形成图。
[0067]图84：本实施例中一种微发光二极管面板结构图。
[0068]图85：本实施例中一种电子装置结构框图。
[0069]图86：本实施例中一种半导体器件结构图。
[0070]图87：本实施例中一种射频模组框图。
[0071]图88、图90、图92：本实施例中另一种半导体器件结构图。
[0072]图89本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管面板，其特征在于，包括：电路基板；多个发光二极管芯片，设置于所述电路基板上；以及波长转换层，设置于所述发光二极管芯片上；其中，所述发光二极管芯片包括：多个发光二极管；多个电性连接件，分别连接于所述多个发光二极管；以及封装体，将多个所述发光二极管整合成所述发光二极管芯片。2.根据权利要求1所述的发光二极管面板，其特征在于：所述多个发光二极管的光色相同。3.根据权利要求1所述的发光二极管面板，其特征在于：所述多个发光二极管的光色不同。4.根据权利要求1所述的发光二极管面板，其特征在于：相邻所述发光二极管芯片的间距小于所述发光二极管芯片的长度或宽度。5.根据权利要求1所述的发光二极管面板，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卫军，刘美华，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：新型
国别省市：