一种发光二极管及其应用制造技术

本发明专利技术提出一种发光二极管及其应用，包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底的一侧；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上；第一电极，设置在所述第一半导体层上；第二电极，设置在所述第二半导体层上；以及散光叠层，设置在所述衬底的另一侧，且覆盖所述衬底。通过本发明专利技术提供的一种发光二极管，可增大出光角度。可增大出光角度。可增大出光角度。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种发光二极管及其应用。

技术介绍

[0002]发光二极管的在背光领域的应用中，具有省电、清晰度高、反应时间快等特点，最新的显示器机种上，频频使用这项新型态的产品。不过由于发光二极管的发光角度小，仅有130度左右，因此所需要的混光距离就十分长，在制作背光模组上，要另外加入一层扩散版，不容易实现超薄的需求。

技术实现思路

[0003]鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提出一种发光二极管，旨在改发光二极管的发光角度小，进而改善显示器的厚度。
[0004]为实现上述目的及其他目的，本专利技术提出一种发光二极管，该发光二极管包括：
[0005]衬底；
[0006]第一半导体层，设置在所述衬底的一侧；
[0007]有源层，设置在所述第一半导体层上；
[0008]第二半导体层，设置在所述有源层上；
[0009]第一电极，设置在所述第一半导体层上；
[0010]第二电极，设置在所述第二半导体层上；以及
[001本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底的一侧；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上；第一电极，设置在所述第一半导体层上；第二电极，设置在所述第二半导体层上；以及散光叠层，设置在所述衬底的另一侧，且覆盖所述衬底。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述散光叠层包括引光层，所述引光层，所述引光层设置在所述衬底的另一侧，且覆盖在所述衬底上。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述引光层的折射率与所述衬底的折射率相同。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述引光层的厚度为：引光层的厚度＝波长/4
×
折射率。5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述散光叠层包括第一反射层，所述第一反射层位于所述引光层相对于所述衬底的一侧，且所述第一反射层覆盖所述引光层。6.根据权利要求5所述的发光二极管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卫军，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：发明
国别省市：