本实用新型公开一种半导体器件。其中，所述半导体器件包括半导体基板；钝化层；阳极，包括主体部和连接所述主体部的第一延伸部及第二延伸部，其中所述主体部设置在所述钝化层远离所述势垒层的一侧，所述第一延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述势垒层、以...

本实用新型公开一种半导体器件。其中，所述半导体器件包括半导体基板；钝化层，设置在所述半导体基板上；阳极，包括主体部和连接所述主体部的延伸部，其中所述主体部设置在所述钝化层远离所述半导体基板的一侧，所述延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半...

本实用新型公开一种半导体器件。其中，所述半导体器件包括半导体基板；钝化层，设置在半导体基板上；阳极，包括主体部和连接所述主体部的第一延伸部及第二延伸部，其中所述主体部设置在所述钝化层远离所述半导体基板的一侧，所述第一延伸部贯穿所述钝化层...

本实用新型涉及半导体器件技术领域，提供一种肖特基势垒二极管，所述肖特基势垒二极管包括：半导体基板；钝化层；介质层，设置在所述钝化层上、且覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触...

本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：半导体基板；介质层，设置在所述半导体基板上；源极和漏极，设置在所述介质层上；以及第一栅极和第二栅极，相互间隔设置在所述介质层上；其中，所述第一栅极和所述第二栅极位于所...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：半导体基板；介质层，设置在所述半导体基板上；源极和漏极，设置在所述介质层上；以及第一栅极和第二栅极，相互间隔设置在所述介质层上；其中，所述第一栅极和所述第二栅...

本发明公开一种半导体器件及其制作方法。其中，所述制作方法包括在半导体衬底上依次形成缓冲层、势垒层和钝化层；形成第一阳极接触孔；在第一阳极接触孔内和所述钝化层上形成介质层；形成第二阳极接触孔；在所述介质层上和所述第二阳极接触孔内形成第一金...

本发明公开一种半导体器件及其制作方法。其中，所述制作方法包括在半导体衬底上依次形成缓冲层、势垒层和钝化层；图案化所述钝化层和所述势垒层，以形成第一阳极接触孔；在所述钝化层上和所述第一阳极接触孔内形成第一金属层；图案化所述第一金属层、所述...

本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种肖特基势垒二极管及其制作方法，所述肖特基势垒二极管包括：半导体基板；钝化层；介质层，设置在所述钝化层上、且覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：半导体基板；设置于所述半导体基板上的第一介质层和第二介质层；设置于所述第二介质层上的栅极金属层；以及设置于所述栅极金属层上的源极、漏极和栅极；其中，所述源极和...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：半导体基板；第一介质层；隔离层；第二介质层；栅极金属层；第一源极；第一漏极；第一栅极；第二源极；第二漏极；以及第二栅极；其中，所述第一漏极与所述第二源极在所述...

本发明实施例提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，所述硅外延片的中部形成有至少一个沟槽，所述硅外延片的位于所述中部相对两侧的边沿分别形成有第一缺口和第二缺口；氧化层；多晶硅层；介质层；阳极金属层，设置于所述介...

本发明实施例提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，形成有至少一个沟槽、第一缺口、第二缺口和与所述至少一个沟槽一一对应设置且包围所述沟槽的下部的至少一个沟槽缓冲部；氧化层；多晶硅层；介质层；阳极金属层，相对两侧...

本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，形成多个沟槽，所述多个沟槽的开口朝向所述硅外延片的上表面；氧化层，覆盖所述多个沟槽的内表面；多晶硅层，填充所述多个沟槽的除所述氧化层之外的空...

本发明实施例提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，形成多个沟槽；氧化层；多晶硅层，填充所述多个沟槽的除所述氧化层之外的空间；介质层；阳极金属层，延伸至肖特基接触孔内以覆盖所述肖特基接触孔的底部，所述肖特基接触...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：半导体基板，内部形成有二维电子气沟道；源极和漏极，设置在所述半导体基板上、且底部分别与所述半导体基板相连接；栅极，设置在所述半导体基板上、且底部通过一个多层结...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：第一介质层；第二介质层延伸至第一栅极接触孔内以覆盖所述第一栅极接触孔的底部；第一栅极金属层延伸至所述第一栅极接触孔内以覆盖位于所述第一栅极接触孔底部的所述第二...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：半导体基板；第一介质层；第二介质层延伸至第一栅极接触孔内以覆盖所述第一栅极接触孔的底部；第三介质层延伸至第二栅极接触孔内以覆盖所述第二栅极接触孔的底部；栅极金...

本发明实施例提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，中部形成有至少一个沟槽，所述硅外延片的位于所述中部相对两侧的边沿分别形成有第一缺口和第二缺口；氧化层；多晶硅层；介质层；阳极金属层，所述阳极金属层的相对两侧的...

本实用新型涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏...