肖特基二极管及其制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，所述硅外延片的中部形成有至少一个沟槽，所述硅外延片的位于所述中部相对两侧的边沿分别形成有第一缺口和第二缺口；氧化层；多晶硅层；介质层；阳极金属层，设置于所述介质层上且延伸至贯穿所述介质层的肖特基接触孔内，所述阳极金属层的相对两侧的边沿分别形成有第三缺口和第四缺口，所述第三缺口在所述硅外延片上的投影和所述第四缺口在所述硅外延片上的投影分别位于所述第一缺口所在的区域内和所述第二缺口所在的区域内；阴极金属层；所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影覆盖所述至少一个沟槽。本发明专利技术实施例可以优化器件耐压。

【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种肖特基二极管以及一种肖特基二极管的制作方法。
技术介绍
肖特基二极管通常是高频电子应用的更为理想的选择，由于它们具有高开关速度和低正向(导通状态)压降，其低正向导通能量损耗非常关键。但是直到最近，大多数应用的硅基肖特基二极管都受到了低于100V的工作电压的限制。一直以来，肖特基二极管的反向阻断电压都受到了比200V低得多的电压的限制。这部分是由于当反向阻断能力接近200V时，肖特基二极管的正向压降或正向导通电压将接近PIN二极管的正向压降，使之在应用中的效率更低。因此，需要提出一种能够优化器件耐压的肖特基二极管及其制作方法。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种肖特基二极管及其制作方法，可以优化器件耐压。具体地，本专利技术实施例提供的一种肖特基二极管，包括：硅外延片，所述硅外延片的中部形成有至少一个沟槽，所述硅外延片的位于所述中部相对两侧的边沿分别形成有第一缺口和第二缺口；氧化层，覆盖所述至少一个沟槽的表面以及所述第一缺口和所述第二缺口的表面；多晶硅层，填充所述至少一个沟槽的除所述氧化层之外的空间；介质层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：硅外延片，所述硅外延片的中部形成有至少一个沟槽，所述硅外延片的位于所述中部相对两侧的边沿分别形成有第一缺口和第二缺口；氧化层，覆盖所述至少一个沟槽的表面以及所述第一缺口和所述第二缺口的表面；多晶硅层，填充所述至少一个沟槽的除所述氧化层之外的空间；介质层，设置于所述硅外延片和所述氧化层的上表面；阳极金属层，设置于所述介质层上且延伸至肖特基接触孔内以覆盖所述肖特基接触孔的底部，其中，所述肖特基接触孔贯穿所述介质层、且在所述硅外延片上的投影覆盖所述至少一个沟槽，所述阳极金属层的相对两侧的边沿分别形成有第三缺口和第四缺口，所述第三缺口在所述硅外延片上的投影和所述...

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：硅外延片，所述硅外延片的中部形成有至少一个沟槽，所述硅外延片的位于所述中部相对两侧的边沿分别形成有第一缺口和第二缺口；氧化层，覆盖所述至少一个沟槽的表面以及所述第一缺口和所述第二缺口的表面；多晶硅层，填充所述至少一个沟槽的除所述氧化层之外的空间；介质层，设置于所述硅外延片和所述氧化层的上表面；阳极金属层，设置于所述介质层上且延伸至肖特基接触孔内以覆盖所述肖特基接触孔的底部，其中，所述肖特基接触孔贯穿所述介质层、且在所述硅外延片上的投影覆盖所述至少一个沟槽，所述阳极金属层的相对两侧的边沿分别形成有第三缺口和第四缺口，所述第三缺口在所述硅外延片上的投影和所述第四缺口在所述硅外延片上的投影分别位于所述第一缺口所在的区域内和所述第二缺口所在的区域内；以及阴极金属层，设置于所述硅外延片的下表面。2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述硅外延片包括硅衬底和设置于所述硅衬底上的硅外延层。3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述至少一个沟槽、所述第一缺口和所述第二缺口形成于所述硅外延层。4.如权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述至少一个沟槽的底部最低点、所述第一缺口的底部最低点和所述第二缺口的底部最低点距离所述硅外延层的上表面的距离为1～2.5微米。5.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述至少一个沟槽所包括所述沟槽的的数目为多个。6.如权利要求5所述的肖特基二极管，其特征在于，所述多个沟槽中任意相邻的两个所述沟槽之间的间距相等。7.如权利要求6所述的肖特基二极管，其特征在于，所述多个沟槽中任意相邻的两个所述沟槽之间的间距为1～2.75微米。8.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述氧化层的材质为二氧化硅，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘美华，林信南，刘岩军，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44