温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，所述硅外延片的中部形成有至少一个沟槽，所述硅外延片的位于所述中部相对两侧的边沿分别形成有第一缺口和第二缺口；氧化层；多晶硅层；介质层；阳极金属层，设置于所述介质层...
该专利属于深圳市晶相技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶相技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。