肖特基势垒二极管及其制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，提供一种肖特基势垒二极管及其制作方法，所述肖特基势垒二极管包括：半导体基板；钝化层；介质层，设置在所述钝化层上、且覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔贯穿所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部；阳极，包括伸入所述半导体基板内部的第一阳极部、第二阳极部和第三阳极部，所述第三阳极部接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部，所述第三阳极部接触孔位于所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔之间；以及第一阴极和第二阴极。本发明专利技术实施例的肖特基势垒二极管，可以优化器件结构，与CMOS工艺线兼容，减小反向漏电。

Schottky barrier diode and its fabrication method

The invention relates to the technical field of semiconductor devices, and provides a Schottky barrier diode and its fabrication method. The Schottky barrier diode includes: semiconductor substrate; passivation layer; dielectric layer, which is set on the passivation layer and covers the bottom of the first anode contact hole and the bottom of the second anode contact hole, the first anode contact hole and the first anode contact hole. The contact hole of the second anode part penetrates through the passivation layer and extends into the inner part of the semiconductor substrate; the anode includes the first anode part, the second anode part and the third anode part extending into the inner part of the semiconductor substrate; the contact hole of the third anode part penetrates through the dielectric layer and the passivation layer, and extends into the inner part of the semiconductor substrate; and the contact hole of the third anode part is located in the first one. Between the contact hole of the anode part and the contact hole of the second anode part, and between the first cathode and the second cathode. The Schottky barrier diode in the embodiment of the present invention can optimize the device structure, be compatible with CMOS process lines and reduce reverse leakage.

【技术实现步骤摘要】
肖特基势垒二极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种肖特基势垒二极管以及一种肖特基势垒二极管的制作方法。
技术介绍
肖特基势垒二极管具有开关速度快、场强高和热学特性好等优点，在功率整流器市场有很好的发展前景。传统结构的肖特基势垒二极管漏电很大，目前已有很多研究提出解决方案，例如，采用肖特基结终端等，可以减小反向漏电。但是，采用CMOS兼容工艺很难制备出低漏电的肖特基势垒二极管。因此，需要提出一种可以优化器件结构、能够与CMOS工艺线兼容、和/或能够减小反向漏电的肖特基势垒二极管及其制作方法。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种肖特基势垒二极管及其制作方法，可以优化器件结构、能够与CMOS工艺线兼容、和/或能够减小反向漏电。具体地，本专利技术实施例提供的一种肖特基势垒二极管，包括：半导体基板；钝化层，设置在所述半导体基板上；介质层，设置在所述钝化层上、且延伸至第一阳极部接触孔和第二阳极部接触孔内以覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，其中，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔贯穿所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部；阳极，设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：半导体基板；钝化层，设置在所述半导体基板上；介质层，设置在所述钝化层上、且延伸至第一阳极部接触孔和第二阳极部接触孔内以覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，其中，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔贯穿所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部；阳极，设置在所述介质层上、且包括第一阳极部、第二阳极部和第三阳极部，其中，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部分别填充相互间隔设置的所述第一阳极部接触孔、所述第二阳极部接触孔和第三阳极部接触孔、且伸入所述半导体基板内部，所述第三阳极部接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层、且伸入所述...

【技术特征摘要】
1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：半导体基板；钝化层，设置在所述半导体基板上；介质层，设置在所述钝化层上、且延伸至第一阳极部接触孔和第二阳极部接触孔内以覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，其中，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔贯穿所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部；阳极，设置在所述介质层上、且包括第一阳极部、第二阳极部和第三阳极部，其中，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部分别填充相互间隔设置的所述第一阳极部接触孔、所述第二阳极部接触孔和第三阳极部接触孔、且伸入所述半导体基板内部，所述第三阳极部接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部，所述第三阳极部接触孔位于所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔之间；以及第一阴极和第二阴极，设置在所述介质层上、且填充第一阴极接触孔和第二阴极接触孔，其中，所述第一阴极和所述第二阴极位于所述阳极的相对两侧，所述第一阴极接触孔和所述第二阴极接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层；其中，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部在所述介质层上方连接在一起，所述第三阳极部与所述半导体基板形成肖特基接触。2.如权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述半导体基板包括由下至上依次设置的硅衬底、氮化镓缓冲层和氮化铝镓势垒层。3.如权利要求2所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部伸入所述氮化铝镓势垒层但不贯穿所述氮化铝镓势垒层、且所述第三阳极部与所述氮化铝镓势垒层形成肖特基接触。4.如权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述第一阴极和所述第二阴极由欧姆接触金属层组成，所述阳极由从下至上依次设置的阳极金属层和所述欧姆接触金属层组成，所述欧姆接触金属层包括从下至上依次设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和第一氮化钛层，所述阳极金属层的材质为氮化钛，所述钝化层和/或所述介质层的材质为氮化硅、氧化硅或氧化铪。5.如权利要求2所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述第一阳极部接触孔的底部、所述第二阳极部接触孔的底部和所述第三阳极部接触孔的底部距离所述氮化铝镓势垒层底部的距离相等。6.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：半导体基板，包括由下至上依次设置的半导体衬底、缓冲层和势垒层，所述缓冲层和所述势垒层之间可形成二维电子气沟道；隔离层，设置在所述半导体基板上、且延伸至第一阳极部接触孔和第二阳极部接触孔内以覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，其中，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔伸入所述势垒层；以及阳极，设置在所述隔离层上、且包括第一阳极部、第二阳极部和第三阳极部，其中，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部分别填充相互间隔设置的所述第一阳极部接触孔、所述第二阳极部接触孔和第三阳极部接触孔、且伸入所述势垒层内部，所述第三阳极部接触孔贯穿所述隔离层、且伸入所述势垒层，所述第三阳极部接触孔位于所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔之间；阴极...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，刘美华，刘岩军，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44