半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：半导体基板；介质层，设置在所述半导体基板上；源极和漏极，设置在所述介质层上；以及第一栅极和第二栅极，相互间隔设置在所述介质层上；其中，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述源极、所述漏极、所述第一栅极和所述第二栅极分别贯穿所述介质层、且伸入所述半导体基板。本实用新型专利技术的半导体器件可以提高栅极控制能力，减少栅极漏电和关态漏电，能够实现高质量的肖特基接触和低的漏极泄漏电流。

semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
在AlGaN(氮化镓铝)/GaN(氮化镓)HEMT(HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)器件等半导体器件具有很好的特性和广泛应用，迄今为止，已经有几种技术用于制造增强型半导体器件，所有这些技术采用不同的技术来清空半导体器件栅极下方的二维电子气(2DEG)沟道(在零栅极偏压下)，这是常关操作所必需的。为了实现这一目标，已经开发出各种技术的增强型GaN(氮化镓)晶体管。然而，难以使用这些方法来改善低亚阈值摆动和关态电流与AlGaN(氮化镓铝)势垒厚度的良好亚阈值特性的均匀性。因此，需要提出一种能够解决以上问题的半导体器件。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术实施例提供一种半导体器件，可以提高栅极控制能力，减少栅极漏电和关态漏电，能够实现高质量的肖特基接触和低的漏极泄漏电流。具体地，本技术实施例提供的一种半导体器件，包括：半导体基板；介质层，设置在所述半导体基板上；源极和漏极，设置在所述介质层上；以及第一栅极和第二栅极，相互间隔设置在所述介质层上；其中，所述第一栅极和所述第二栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板；介质层，设置在所述半导体基板上；源极和漏极，设置在所述介质层上；以及第一栅极和第二栅极，相互间隔设置在所述介质层上；其中，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述源极、所述漏极、所述第一栅极和所述第二栅极分别贯穿所述介质层、且均伸入所述半导体基板但不贯穿所述半导体基板。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板；介质层，设置在所述半导体基板上；源极和漏极，设置在所述介质层上；以及第一栅极和第二栅极，相互间隔设置在所述介质层上；其中，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述源极、所述漏极、所述第一栅极和所述第二栅极分别贯穿所述介质层、且均伸入所述半导体基板但不贯穿所述半导体基板。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基板包括：硅衬底，以及设置于所述硅衬底表面的氮化镓缓冲层和设置于所述氮化镓缓冲层表面的氮化镓铝层；其中，所述源极、所述漏极、所述第一栅极和所述第二栅极均伸入所述氮化镓铝层但不贯穿所述氮化镓铝层。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极和所述漏极由欧姆接触金属组成，所述第一栅极和所述第二栅极由从下至上依次设置的栅极金属和所述欧姆接触金属组成；其中，所述欧姆接触金属包括从下至上依次设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和第一氮化钛层，所述栅极金属为另一氮化钛层。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化镓缓冲层的厚度大于3微米。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极的底部的宽度小于所述第二栅极的底部的宽度。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极的底部的宽度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，刘美华，刘岩军，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44