温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：半导体基板；介质层，设置在所述半导体基板上；源极和漏极，设置在所述介质层上；以及第一栅极和第二栅极，相互间隔设置在所述介质层上；其中，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述源...
该专利属于深圳市晶相技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶相技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。