一种半导体设备制造技术

本实用新型专利技术提出一种半导体设备，该半导体设备包括：过渡腔体，设置在生长腔体之前；至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。本实用新型专利技术的半导体设备设计合理，结构简单。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备
本技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体设备。
技术介绍
随着集成电路生产技术的不断进步，电路芯片的集成度得到大幅提升。目前，在一片芯片中所集成的晶体管数量已经达到了惊人的几千万个，数量如此庞大的有源元件的信号集成需要多达十层以上的高密度金属互联层进行连接。因此，作为制备上述金属互联层的重要工艺，物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，以下简称PVD)技术得到了广泛应用。在微电子产品行业，磁控溅射技术是生产集成电路、液晶显示器、薄膜太阳能电池及LED等产品的重要手段之一，在工业生产和科学领域发挥着极大的作用。近年来，市场对高质量产品日益增长的需求，促使企业对磁控溅射设备进行不断地改进。常用的磁控溅射设备包括多个腔体，且各个腔体之间相互关联，使得磁控溅射设备结构复杂，工作效率低，成膜质量较差，无法满足市场对高质量的产品的需求。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本技术提出一种半导体设备，以简化半导体设备的结构，提高工作效率，提高镀膜的均匀性。为实现上述目的及其他目的，本技术提出一种半导体设备，该半导体设备包括：过渡腔体，设置在生长腔体之前；至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；<br>排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。在一实施例中，所述半导体设备包括第一载台及第二载台，所述半导体所述第一载台及第二载台连接在支撑板上，所述支撑板连接一控制杆，所述控制杆的一端位于所述过渡腔体外。在一实施例中，所述控制杆带动所述支撑板上升和/或下降。在一实施例中，所述冷却板通过多个支架固定在所述过渡腔体上。在一实施例中，所述第二载台允许接触所述冷却板。在一实施例中，当进行所述抽真空处理时，所述控制杆带动所述支撑板沿着预设路径移动。在一实施例中，当进行所述抽真空处理时，所述基板设置在所述第一载台上。在一实施例中，在进行所述破真空处理前，所述控制杆带动所述支撑板沿着与所述预设路径相反的方向移动。在一实施例中，进行所述破真空处理时，所述第二载台与所述冷却板之间具有预设的间距。在一实施例中，该半导体设备还包括：运送腔体，所述生长腔体设置在所述运送腔体的侧壁上；预热腔体，设置在所述运送腔体的侧壁上；清洗腔体，设置在所述运送腔体的侧壁上。本技术提出一种半导体设备，通过将过渡腔体设置在生长腔体之前，简化了该半导体设备的结构，保证了整个半导体设备的真空密封性，由此提高了成膜的质量，提高了镀膜的均匀性，同时该半导体设备结构简单，工作效率高。附图说明图1：本实施例中过渡腔体的简要示意图。图2：本实施例中冷却板的简要示意图。图3：本实施例中底座的简要示意图。图4：本实施例中载台及托盘的简要示意图。图5：本实施例提出的半导体设备的简要示意图。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。以下说明阐述许多特定细节，比如工艺腔室配置和材料体系，以提供对本技术实施例彻底的理解。对本领域技术人员显而易见的是本技术的实施例可在没有这些特定细节的情况下被实施。在其他情况中，不详述诸如特定二极管配置之类的熟知的特征，以免让本专利技术的实施例变得晦涩难懂。另外，应理解各图所示各种实施例是示例性说明，而没有必要地按比例绘制。此外，本文实施例中可能未明确揭示其他布置和配置，但所述其他布置和配置仍被视为在本技术的精神和范围内。请参阅图1，本实施例提出一种半导体设备，包括一过渡腔体320，该过渡腔体320包括一壳体320a，该壳体320a例如为密封的圆柱体，同时在该壳体320a的侧壁上设有抽气口及排气口。请参阅图1，在本实施例中，该过渡腔体320内设有一冷却板322，冷却板322通过多个支架321固定在壳体320a的底部。通过该冷却板322可对基板进行冷却处理。在本实施例中，该冷却板322可例如为圆柱形或矩形或其他形状，该冷却板322可例如通过四个支架321固定在壳体320a内。请参阅图2，在本实施例中，该冷却板322为圆柱形，该冷却板322上包括多个内螺纹孔322a，例如包括四个内螺纹孔322a。在支架321的两端设有相应的外螺纹，由此可将支架321的一端设置在该内螺纹孔322a内。请参阅图3，在本实施例中，该支架321的另一端通过底座3211固定在壳体320a内，该底座3211包括多个第一螺纹孔3211a及一个第二螺纹孔3211b，其中，第二螺纹孔3211b位于底座3211的中心位置上，多个第一螺纹孔3211a均匀设置在第二螺纹孔3211b的四周。该支架321的另一端设置在第二螺纹孔3211b内，多个第一螺纹孔3211a用于放置多个螺母，由此可将底座3211固定在壳体320a内。在本实施例中，在底座3211上包括六个第一螺纹孔3211a，在一些实施例中，在底座3211上可设置四个或其他多个第一螺纹孔3211a。请参阅图1，在本实施例中，在该壳体320a内设置有至少一个载台，例如设置两个载台，例如为第一载台325及第二载台328，第一载台325及第二载台328固定在支撑板323上，第一载台325位于第二载台328上。该支撑板323包括一主杆及两个侧板，两个侧板分别设置在主杆的两端，该第一载台325及第二载台328设置在两个侧板之间。在本实施例中，该支撑板323还连接一控制杆324，具体地，该控制杆324连接在支撑板323的主杆上，且该控制杆324的一端还位于壳体320a外，该控制杆324可带动支撑板323上升和/或下降。在本实施例中，该控制杆324连接一驱动单元(未显示)，该驱动单元用于控制该控制杆324上升和/或下降。当驱动单元控制控制杆324下降时，第二载台328可接触冷却板322。请参阅图4，在本实施例中，第一载台325及第二载台328上可放置至少一个托盘，托盘用于放置基板，例如以第一载台325为例，该第一载台325上可放置至少一个托盘3251，例如放置两个或三个或更多个托盘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：/n过渡腔体，设置在生长腔体之前；/n至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；/n冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；/n抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；/n排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
过渡腔体，设置在生长腔体之前；
至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；
冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；
抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；
排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述半导体设备包括第一载台及第二载台，所述第一载台及第二载台连接在支撑板上，所述支撑板连接一控制杆，所述控制杆的一端位于所述过渡腔体外。


3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述控制杆带动所述支撑板上升和/或下降。


4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述冷却板通过多个支架固定在所述过渡腔体上。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，游宗龙，刘美华，李方华，児玉晃，板垣克則，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44