一种半导体设备制造技术

本实用新型专利技术提出一种半导体设备，该半导体设备包括：过渡腔体，设置在生长腔体之前；至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。本实用新型专利技术的半导体设备设计合理，结构简单。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备
本技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体设备。
技术介绍
随着集成电路生产技术的不断进步，电路芯片的集成度得到大幅提升。目前，在一片芯片中所集成的晶体管数量已经达到了惊人的几千万个，数量如此庞大的有源元件的信号集成需要多达十层以上的高密度金属互联层进行连接。因此，作为制备上述金属互联层的重要工艺，物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，以下简称PVD)技术得到了广泛应用。在微电子产品行业，磁控溅射技术是生产集成电路、液晶显示器、薄膜太阳能电池及LED等产品的重要手段之一，在工业生产和科学领域发挥着极大的作用。近年来，市场对高质量产品日益增长的需求，促使企业对磁控溅射设备进行不断地改进。常用的磁控溅射设备包括多个腔体，且各个腔体之间相互关联，使得磁控溅射设备结构复杂，工作效率低，成膜质量较差，无法满足市场对高质量的产品的需求。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本技术提出一种半导体设备，以简化半导体设备的结构，提高工作效率，提高镀膜的均匀性。为实现上述目的及其他目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：/n过渡腔体，设置在生长腔体之前；/n至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；/n冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；/n抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；/n排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
过渡腔体，设置在生长腔体之前；
至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；
冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；
抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；
排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述半导体设备包括第一载台及第二载台，所述第一载台及第二载台连接在支撑板上，所述支撑板连接一控制杆，所述控制杆的一端位于所述过渡腔体外。


3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述控制杆带动所述支撑板上升和/或下降。


4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述冷却板通过多个支架固定在所述过渡腔体上。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，游宗龙，刘美华，李方华，児玉晃，板垣克則，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44