一种半导体设备制造技术

本实用新型专利技术提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；其中，所述基座包括：一加热器，设置在所述基座上；一测温装置，包括多个测温点，所述多个测温点分别设置在所述基座上。本实用新型专利技术提出的半导体设备设计合理，结构简单，可提高镀膜的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备
本技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体设备。
技术介绍
在半导体工业集成电路制造行业中，多采用磁控溅射(MagnetronSputtering)技术，主要用于铝、铜等金属薄膜的沉积，以构成金属接触、金属互连线等。工艺中，磁控溅射过程可为：工艺腔室中的电子在电场作用下向基片运动，在飞向基片的过程中与氩原子碰撞，使氩原子电离得到带正电的氩离子和二次电子；其中，氩离子向具有负电势的靶材方向加速运动的过程中获得动量，轰击靶材使靶材发生溅射，以生成溅射粒子；二次电子在电场和外加磁铁产生的磁场的作用下，其运动轨迹近似于一条摆线，二次电子在沿其轨迹运动的过程中继续碰撞氩原子以电离得到新的氩离子和新的二次电子；再者，氩离子轰击靶材所生成溅射粒子中的中性靶材原子或分子迁移到硅片表面，并通过沉积的方式在硅片表面凝聚以形成薄膜，该薄膜具有和靶材基本相同的组份；且在由氩离子轰击靶材时所产生的尾气或其它杂质可由真空泵抽走。但是在上述工艺中，在实际应用中会存在以下问题：直接溅射完成后薄膜的均匀性较差，使得在下一步的工艺中还需要后续处理，工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：/n生长腔体；/n基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；/n靶材，设置在所述生长腔体内；/n磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；/n其中，所述基座包括：/n一加热器，设置在所述基座上；/n一测温装置，包括多个测温点，所述多个测温点分别设置在所述基座上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
生长腔体；
基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；
靶材，设置在所述生长腔体内；
磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；
其中，所述基座包括：
一加热器，设置在所述基座上；
一测温装置，包括多个测温点，所述多个测温点分别设置在所述基座上。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述加热器包括多个加热电极及加热线圈，所述多个加热电极连接所述加热线圈。


3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述多个加热电极设置在所述基座的四周。


4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于：所述加热线圈包括第一部分及第二部分，所述第一部分及所述第二部分关于所述加热线圈的中心对称连接。
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【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，游宗龙，刘美华，李方华，児玉晃，板垣克則，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44