一种半导体设备制造技术

本实用新型专利技术提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材相对的位置上；其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。本实用新型专利技术提出的半导体能够提高镀膜的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备
本技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体设备。
技术介绍
随着集成电路生产技术的不断进步，电路芯片的集成度得到大幅提升。目前，在一片芯片中所集成的晶体管数量已经达到了惊人的几千万个，数量如此庞大的有源元件的信号集成需要多达十层以上的高密度金属互联层进行连接。因此，作为制备上述金属互联层的重要工艺，物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，以下简称PVD)技术得到了广泛应用。磁控溅射设备的工作原理是：电子在电场的作用下加速飞向基板，在此过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，在靶材和基板之间形成等离子体区域。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子或分子，呈中性的靶材原子或分子沉积在基板上成膜。为了形成更多氩离子对靶材轰击以产生更多靶材原子或分子，就需要提高电子与氩原子的碰撞率。利用靶材附近形成的磁场，使电子受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶材的等离子体区域内，围绕靶材运动，增加电子的运动路径，从而提高电子与氩原子的碰撞率，电离出的大量氩离子可轰击出更多靶材原子或分子。但是直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：/n生长腔体；/n基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；/n靶材，设置在所述生长腔体内；/n磁体，设置在所述靶材相对的位置上；/n其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
生长腔体；
基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；
靶材，设置在所述生长腔体内；
磁体，设置在所述靶材相对的位置上；
其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述磁体包括第一部分，第二部分及多个第三部分，所述多个第三部分连接在所述第一部分及所述第二部分之间。


3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述第一部分的两端分别连接在所述第三部分的一端，所述第一部分包括第一磁性单元。


4.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述第二部分的两端分别连接在所述第三部分的另一端，所述第二部分包括第多个第二磁性单元，多个第三磁性单元及一个第四磁性单元。


5.根据权利要求4所述的半导体设备，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，游宗龙，刘美华，李方华，児玉晃，板垣克則，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44