一种半导体设备制造技术

本实用新型专利技术提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对位置上；其中，所述生长腔体上设置至少两个进气口，所述至少两个进气口是设置于所述生长腔体的相对两侧上。本实用新型专利技术提出的半导体设备设计合理，结构简单，可提高镀膜的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备
本技术涉及半导体领域，本技术涉及一种半导体设备。
技术介绍
在高世代TFT-LCD、OLED等制造行业中，普遍采用立式平面靶材的磁控溅射技术来在玻璃基板上沉积膜层。在利用现有技术中的立式磁控溅射设备进行镀膜的过程中，由于进气口位于腔体的顶部，溅射气体需要进过扩散作才能到腔体的底部(充满整个腔体)，整个扩散过程较慢，耗费大量时间，从而影响设备的产能。而且，采用现有的通气方式，使得靶材表面的溅射气体浓度常常不均匀，从而造成玻璃基板上成膜不均匀。同时，靶材与背板通过铟贴合，长期溅射会导致靶材表面温度过高，不仅会导致靶材表面状态不稳而且容易使得贴合材料熔融，对生产稳定性产生影响。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本技术提出一种半导体设备，以提高镀膜的均匀性。为实现上述目的及其他目的，本技术提出一种半导体设备，该半导体设备包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对位置上；<br>其中，所述生长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：/n生长腔体；/n基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；/n靶材，设置在所述生长腔体内；/n磁体，设置在所述靶材的相对位置上；/n其中，所述生长腔体上设置至少两个进气口，所述至少两个进气口是设置于所述生长腔体的相对两侧上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
生长腔体；
基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；
靶材，设置在所述生长腔体内；
磁体，设置在所述靶材的相对位置上；
其中，所述生长腔体上设置至少两个进气口，所述至少两个进气口是设置于所述生长腔体的相对两侧上。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述至少两个进气口分别连接一进气管道。


3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述进气管道包括外套管及内套管。


4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于：所述外套管上包括第一排气孔，所述内套管上包括第二排气孔。

【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，游宗龙，刘美华，李方华，児玉晃，板垣克則，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44