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本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对位置上；其中，所述生长腔体上设置至少两个进气口，所述至少两个进气口是设置于所述生长腔体的相...
该专利属于深圳市晶相技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶相技术有限公司授权不得商用。

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