本发明公开了一种超结器件，包括：依次形成于N型半导体衬底上的N型冗余外延层和N型缓冲层；在N型缓冲层之上形成有沟槽填充型超结结构；超结器件的背面结构包括漏区；N型半导体衬底在背面减薄工艺中被去除，N型冗余外延层在背面减薄工艺中被完全或部...

本发明公开了一种超结器件，包括：依次形成于N型半导体衬底上的N型冗余外延层和N型缓冲层；在N型缓冲层之上形成有沟槽填充型超结结构；背面结构包括漏区和图形化的背面P型杂质区域；N型半导体衬底在背面减薄工艺中被去除，N型冗余外延层在背面减薄...

本发明公开了一种半SGT MOSFET器件，包括：在半导体衬底上形成有第一导电类型掺杂的第一外延层和第二外延层；半SGT MOSFET器件分成有源区和终端区；第一外延层分成位于有源区中的第一区域和位于所述终端区中的第二区域，第一区域和第...

本发明公开了一种SiC MOSFET器件，器件单元包括：在沟槽栅的栅极沟槽的底部表面下形成有第二导电类型掺杂的底部掺杂区；底部掺杂区连接到源极，使栅极沟槽底部表面的栅介质层所承受电压由栅源电压确定并从而降低栅极沟槽底部表面的栅介质层所承...

本发明公开了一种SiC MOSFET器件，包括：形成于SiC外延层中形成有沟槽栅；在栅极沟槽的底部表面下形成有第一底部掺杂区，在SiC外延层中形成有和栅极沟槽之间具有间距的第二深掺杂区，第一底部掺杂区连接到源极，使栅极沟槽底部表面的栅介...

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种沟槽型功率器件及其制造方法，其中，沟槽型功率器件包括：半导体衬底、外延层、沟道层、第一沟槽结构、第二沟槽结构以及与第二沟槽结构相邻的有源区，第一沟槽结构包括第一沟槽、覆盖第一沟槽内壁的第一绝缘层、位...

本发明公开了一种MOSFET器件，版图结构中，多晶硅栅和体区都呈条形结构且平行交替排列；两个相邻的体区的中心线之间的区域组成一个周期单元结构分成第一和第二个半周期单元结构；第一个半周期单元结构中包括多个并联的第一原胞，第一原胞包括含沟道...

本发明公开了一种超结器件，器件单元区的第一超结结构由第一和二种柱交替排列而成；终端区的第二超结结构由第三和多四种柱交替排列而成。第二种柱都连接到正面电极，第一种柱都通过连接到背面电极。终端区的最内侧包括有过渡区，过渡区外侧第四种柱浮空，...

本发明公开了一种沟槽栅MOSFET器件，沟槽栅包括栅极沟槽、栅介质层和栅导电材料层；栅极沟槽形成于半导体衬底中；栅导电材料层填充在所述栅极沟槽中，在栅极沟槽的顶部形成有栅导电材料层被自对准回刻形成的第一自对准回刻沟槽，在第一自对准回刻沟...

本发明公开了一种沟槽栅功率器件，包括器件单元区和终端区，终端区环绕在器件单元区的周侧，器件单元区中由多个器件单元并联而成；终端区的终端结构包括：终端沟槽，在终端沟槽中填充有终端介质层，终端沟槽依次穿过器件单元的沟道区、载流子存储层和漂移...

本发明公开了一种沟槽栅功率器件，正面结构中的载流子存储层和沟道区都分布采用外延层形成，不再采用阱注入工艺和推阱形成的阱区作为沟道区以及采用离子注入加推阱形成载流子存储层，从而能消除推阱工艺对载流子存储层和沟道区的杂质浓度分布和厚度的影响...

本发明公开了一种沟槽栅功率器件，沟槽栅包括栅极沟槽、栅介质层和多晶硅栅；栅极沟槽形成于半导体衬底中，多晶硅栅填充在栅极沟槽中；栅极沟槽采用形成于硬质掩模层定义，填充所述栅极沟槽之后的多晶硅栅的顶部表面和硬质掩模层表面相平，之后硬质掩模层...

本发明公开了一种超结结构，由两层超结子结构叠加而成，两层P型子柱都由填充于对应的子沟槽中的P型子外延层组成，子沟槽都为侧面倾斜且顶部宽度大于底部宽度的结构，位于底层的第一超结子结构的最佳电荷平衡加正负5％的变化范围对应的位置设置在纵向中...

本发明公开了一种超结结构，由两层超结子结构叠加而成，两层P型子柱都由填充于对应的子沟槽中的P型子外延层组成，每个子柱的顶部位置处的P型柱的宽度大于N型柱的宽度，能降低P型柱的掺杂浓度同时提高N型柱的掺杂浓度；P型柱和N型柱之间的电荷平衡...

本发明公开了一种超结结构，由两层超结子结构叠加而成，两层P型子柱都由填充于对应的子沟槽中的P型子外延层组成，子沟槽都为侧面倾斜且顶部宽度大于底部宽度的结构，位于底层的第一超结子结构的最佳电荷平衡加正负5％的变化范围对应的位置的设置顶部表...

本发明公开了一种N型超结器件，P型柱由填充于超结沟槽中的P型外延层组成；超结结构根据提高器件的工艺一致性进行设置，一致性提高通过提高各超结单元的P型柱的尺寸分布和掺杂浓度分布均匀性来实现；在保证超结单元的步进不变或减少的条件下，通过增加...

本发明公开了一种IGBT器件，包括：漂移区，阱区，电荷存储层和多个沟槽，各沟槽穿过P型体区和电荷存储层进入到漂移区中；单元结构中包括一个栅极结构以及其两侧的第二屏蔽电极结构；源区形成于栅极结构的多晶硅栅两侧的阱区中，源区和阱区都通过顶部...

本发明公开了一种沟槽MOSFET，包括：原胞区和外围区，原胞区中形成有沟槽MOSFET的器件单元结构，在外围区中形成有用于降低沟槽MOSFET的输出电容非线性的沟槽MOS电容，沟槽MOS电容包括：第二沟槽栅，由形成于第二沟槽中的第二栅介...

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET，包括：原胞区和外围区，原胞区中形成有屏蔽栅沟槽MOSFET的器件单元结构，在外围区中形成有用于降低屏蔽栅沟槽MOSFET的输出电容非线性的沟槽MOS电容，沟槽MOS电容包括：第二栅极结构，形成于第...

本发明公开了一种超结器件，由保护环氧化膜将电流流动区打开，电流流动区包括形成于N型外延层中的超结结构，在各P型柱的顶部都形成有P型阱；JFET区的离子注入由保护环氧化膜自对准定义；在同一超结单元的N型柱上方的包括两个分开的分栅平面栅结构...