本发明公开了一种超结器件，超结结构的P型柱由填充在沟槽中的P型外延层组成，N型柱由各P型柱之间的N型外延层组成，各沟槽为顶部宽底部窄的侧面倾斜结构，在纵向上N型外延层的掺杂浓度呈由顶部到底部逐级降低的阶梯分布；超结结构位于电流流动区、过...

本发明属于集成电路制造技术领域，提供了一种超级结器件及制造方法，本发明提供的超级结器件包括了半导体衬底、外延层、漂移区、多个超级结P柱、源区、沟道区、离子注入区、氧化物层、多晶硅栅极；所述超级结P柱为多段结构，包括多个第一超级结P柱和多...

本发明属于集成电路制造技术领域，提供了一种超级结器件及制造方法，本发明提供的超级结器件至少包括：半导体衬底、外延层、漂移区、超级结P柱结构、源区、沟道区、离子注入区、氧化物层、多晶硅栅极；所述超级结P柱结构为多段结构，包括一个或多个第一...

本发明公开了一种功率MOSFET，功率MOSFET的有源区包括多个并联的原胞，各原胞包括栅极结构、沟道区、源区、漂移区和漏区；栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被多晶硅栅覆盖的沟道区的表面用于形成沟道；原胞按照阈值电压的不同分为2种以上，...

本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET，包括：器件单元区，栅极总线区，终端区，三个区域中的沟槽内形成的栅极结构工艺相同。栅极结构中，屏蔽电极纵向贯穿整个沟槽，沟槽栅电极为屏蔽电极的顶部两侧。沟槽内的场氧层的厚度大于接触孔的宽度，...

本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET，包括：栅极结构包括屏蔽电极和沟槽栅电极；源接触孔的底部具有穿过源区的外延层过刻蚀区并和沟道区相接触；在源接触孔的底部形成有两次以上的P型离子注入形成的P型接触区，两次以上的P型离子注入使P...

本发明公开了一种超结器件，设置有环绕在电荷流动区周侧的保护环氧化膜，使JFET区域和源区都能实现全面注入，过渡区中的第二接触孔的高宽比大于等于电荷流动区中的第一接触孔的高宽比，采用钨塞工艺填充同时实现对具有不同高宽比的第一和二接触孔的可...

本发明公开了一种超结器件，设置有环绕在电荷流动区周侧的保护环氧化膜，过渡区中接触孔的高宽比大于等于电荷流动区中接触孔的高宽比，采用钨塞工艺填充同时实现不同高宽比的接触孔的可靠填充，P型阱的宽度小于P型柱的宽度，在P型阱和N型区域之间形成...

本发明公开了一种超结器件，设置有环绕在电荷流动区周侧的保护环氧化膜，使JFET区域和源区都能实现全面注入，过渡区中的第二接触孔的高宽比大于等于电荷流动区中的第一接触孔的高宽比，采用钨塞工艺填充同时实现对具有不同高宽比的第一和二接触孔的可...

本发明公开了一种超结器件，设置有环绕在电荷流动区周侧的保护环氧化膜，使JFET区域和源区都能实现全面注入，过渡区中的第二接触孔的横向尺寸大于电荷流动区中的第一接触孔的最小横向尺寸，且保证第二接触孔在比第一接触孔多穿过一层保护环氧化膜的条...

本发明公开一种超级结MOSFET结构及其制造方法，该MOSFET结构包括：A型衬底、形成于所述A型衬底上的A型外延层以及形成于所述A型外延层中的B柱，所述A型外延层包括第一A型外延层以及至少一层第二A型外延层，所述B柱包括深槽蚀刻段以及...

本发明适用于半导体领域，提供了一种通孔免对位的功率器件及其制备方法，该器件包括衬底和外延层以及，在外延层上具有一深槽结构，深槽结构中从外向内依次包括绝缘层和栅极，深槽结构通过氧化使绝缘层沿深槽方向形成小于60度的斗状结构，其顶部覆盖有氧...

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件，包括：器件单元区，栅极总线区，终端区，栅极总线区的沟槽为器件单元区的沟槽的延伸结构，终端区的沟槽环绕在器件单元区的周侧，三个区域中的沟槽内形成的栅极结构工艺相同。器件单元区的栅极结构中，屏蔽电极纵向贯...

本发明公开了一种超结器件，保护环氧化膜将电荷流动区露出以及将过渡区全部覆盖并将终端区全部或大部分覆盖，保护环氧化膜的设置使得JFET区域和源区都能实现全面注入，使JFET区域会和各P型阱相交叠并降低对应的P型阱的表面的掺杂浓度，从而使得...

本发明公开了一种超结器件，保护环氧化膜将电荷流动区露出以及将过渡区全部覆盖并将终端区全部或大部分覆盖，使过渡区的P型环顶部的第二接触孔比电荷流动区的P型阱顶部的第一接触孔多穿过一层保护环氧化膜的厚度，从而使第二接触孔底部的第二P+接触区...

本发明公开了一种超结器件的制造方法，包括步骤：进行光刻刻蚀形成多个沟槽；进行沟槽形成P型柱；进行光刻加注入形成P型阱；进行第一氧化膜生长并光刻刻蚀形成保护环氧化膜；进行栅氧化膜和N型重掺杂的第一层多晶硅生长并进行光刻刻蚀形成多晶硅栅；以...

本发明适用于半导体领域，提供了一种超级结器件、芯片及其制备方法，该器件包括衬底、缓冲层、第二导电类型沟道、第二导电类型重掺杂区和源极，其特征在于，所述器件还包括第一导电类型漂移区、氧化层和栅极，以及通过挖槽后填入第二导电类型硅或多次外延...

本发明公开了一种超结器件，包括：由交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱组成的超结结构；沟道区，缓冲层；漏区由缓冲层底部的半导体衬底组成；源区形成于沟道区表面；漂移区和沟道区以及第二导电类型柱形成寄生体二极管；缓冲层由第一和第二缓冲子...

本发明公开了一种超结器件的制造方法，包括步骤：在第一导电类型外延层中形成沟槽；进行带角度的侧壁离子注入并在沟槽的侧壁的选定区域中形成第一导电类型掺杂增加区；在沟槽中填充第二导电类型外延层；进行退火，利用第二导电类型杂质在第一导电类型掺杂...

本发明公开了一种超结器件，各超结单元的所述N型柱和所述P型柱中的至少一个柱结构具有掺杂浓度的纵向三分段结构，纵向三分段结构为在纵向上包括底部段、中间段和顶部段，中间段的掺杂浓度低于底部段的掺杂浓度，中间段的掺杂浓度低于顶部段的掺杂浓度；...