功率MOSFET制造技术

本发明专利技术公开了一种功率MOSFET，功率MOSFET的有源区包括多个并联的原胞，各原胞包括栅极结构、沟道区、源区、漂移区和漏区；栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被多晶硅栅覆盖的沟道区的表面用于形成沟道；原胞按照阈值电压的不同分为2种以上，用以降低功率MOSFET在开关过程中的电流变化和电压变化；在开启过程中，按照阈值电压从小到大的顺序依次开启和阈值电压对应的原胞；在关断过程中，按照阈值电压从大到小的顺序依次关断和阈值电压对应的原胞。本发明专利技术能降低开关速度，从而降低开关过程中电流和电压的变化。

power mosfet

The invention discloses a power MOSFET, the active region of the power MOSFET includes a plurality of parallel cells, each cell includes gate structure, channel area, source area, drift area and leakage area; the gate structure includes gate dielectric layer and polycrystalline silicon gate, and the surface of the channel area covered by polycrystalline silicon gate is used to form a channel; the cell is divided into more than two kinds according to the threshold voltage to reduce the power MOS. The current and voltage changes of FET in the switching process; in the opening process, the cell corresponding to the threshold voltage is turned on and off in turn according to the order of threshold voltage from small to large; in the switching process, the cell corresponding to the threshold voltage is turned off in turn according to the order of threshold voltage from large to small. The invention can reduce the switching speed, thereby reducing the change of current and voltage in the switching process.

【技术实现步骤摘要】
功率MOSFET
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造，特别是涉及一种功率MOSFET。
技术介绍
功率器件有两大类，一类是以MOSFET为代表的，单极器件。其导电只是有电子或者空穴参与导电。其中电子参与的叫N型MOSFET，空穴参与的叫P型MOSFET。另一类是以BJT或者是IGBT为代表的，双极器件。其导电过程中，电子和空穴同时参与，包含少子注入的过程。因此，单极器件开关速度快，双极器件开关速度慢。器件开关速度快，也就是开通过程中的di/dt和dv/dt大，这样可以降低开关过程中的损耗，器件可以工作在更高的开关频率。但是高的di/dt和dv/dt，会增加器件开关过程中的过冲，严重的时候甚至可以造成器件的损坏。高的di/dt和dv/dt也会造成器件开关过程中的振荡，对器件正常工作也是不利的。因此降低器件在开关过程中的速度，对MOSFET型器件来说有重要的意义。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种功率MOSFET，能降低开关速度，从而降低开关过程中电流和电压的变化。为解决上述技术问题，本专利技术提供的功率MOSFET的有源区包括多个并联的原胞，各所述原胞包括栅极结构、沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率MOSFET，其特征在于：功率MOSFET的有源区包括多个并联的原胞，各所述原胞包括栅极结构、沟道区、源区、漂移区和漏区；所述栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；所述原胞按照阈值电压的不同分为2种以上，用以降低所述功率MOSFET在开关过程中的电流变化和电压变化；在开启过程中，按照所述阈值电压从小到大的顺序依次开启和所述阈值电压对应的所述原胞；在关断过程中，按照所述阈值电压从大到小的顺序依次关断和所述阈值电压对应的所述原胞。

【技术特征摘要】
1.一种功率MOSFET，其特征在于：功率MOSFET的有源区包括多个并联的原胞，各所述原胞包括栅极结构、沟道区、源区、漂移区和漏区；所述栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；所述原胞按照阈值电压的不同分为2种以上，用以降低所述功率MOSFET在开关过程中的电流变化和电压变化；在开启过程中，按照所述阈值电压从小到大的顺序依次开启和所述阈值电压对应的所述原胞；在关断过程中，按照所述阈值电压从大到小的顺序依次关断和所述阈值电压对应的所述原胞。2.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于：不同阈值电压的各所述原胞之间的所述栅介质层的厚度不同，通过调节所述栅介质层的厚度设置阈值电压。3.如权利要求2所述的功率MOSFET，其特征在于：各所述原胞的所述栅介质层为栅氧化层。4.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于：不同阈值电压的各所述原胞之间的沟道区的掺杂浓度不同，通过调节所述沟道区的掺杂浓度设置阈值电压。5.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于：不同阈值电压的各所述原胞之间的多晶硅栅的掺杂浓度不同，通过调节所述多晶硅栅的掺杂浓度设置阈值电压。6.如权利要求5所述的功率MOSFET，其特征在于：各所述多晶硅栅都为重掺杂，不同阈值电压的各所述原胞之间的多晶硅栅的掺杂类型不同，通过调节所述多晶硅栅的掺杂类型设置阈值电压。7.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于：不同阈值电压的各所述原胞之间的所述栅介质层的厚度不同、所述沟道区的掺杂浓度不同或所述多晶硅栅的掺杂浓度不同，通过调节所述栅介质层的厚度、所述沟道区的掺杂浓度或所述多晶硅栅的掺杂浓度设置阈值电压。8.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于：所述栅极结构为平面栅结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖胜安，
申请(专利权)人：深圳尚阳通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44