本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，导通区元胞包括：形成于第一N型外延层中的屏蔽栅沟槽，沟槽屏蔽栅电极形成于屏蔽栅沟槽中；在第一N型外延层的顶部的第二N型外延层中形成有栅极沟槽，栅极沟槽位于屏蔽栅沟槽的顶部且二者对准，沟槽栅电极形成于栅极沟...

本发明公开了一种超结器件的终端保护结构，电流流动区的超结结构的P和N型柱都呈条形结构且平行，终端保护结构中一部分超结结构由电流流动区的P和N型柱沿长度方向延伸形成，终端保护结构中的另一部分超结结构由和电流流动区的P和N型柱平行的条形结构...

本发明公开了一种超结器件，电荷流动区包括由多个交替排列的N型柱和P型柱组成的超结结构；N型柱的宽度包括两个以上；不同宽度的N型柱被完全耗尽所需的反向电压不同，使不同宽度的N型柱组成的超结单元的电容最小值所对应的反向电压不同，通过将N型柱...

本发明公开了一种超结结构，电流流动区由交替排列的P型立柱和N型立柱组成，其P型立柱呈现非均匀的杂质分布，其N型立柱可以是均匀的也可以是非均匀的杂质分布。最终保证接近于N型重掺杂衬底的区域中，P型立柱中的P型杂质总量低于N型立柱中的N型杂...