本发明揭露一种陶瓷环，具有一上表面、一下表面及在该上表面和该下表面之间延伸的一本体。该陶瓷环的下表面形成有多个定位槽，该等定位槽的每一个自该下表面向该本体延伸，且该等定位槽的每一个沿着该陶瓷环的一径向方向延伸。

一种晶圆处理装置，包含反应腔体、晶圆承载台和喷淋板，其中反应腔体具有顶部与底部，反应腔体包含环型内壁与外壁，顶部、底部和环型内壁定义一反应腔室，环型内壁和外壁之间具有环型抽气通道，环型内壁具有复数个狭缝，每一狭缝具有复数个方向片段，复数...

本发明涉及传输设备技术领域，涉及一种晶圆转移装置及测量方法。包括大气传输装置、晶圆装载腔室、真空传输装置、晶圆处理腔室，所述晶圆装载腔室和晶圆处理腔室包含腔体主体，透明窗，传动装置，及晶圆位置检测设备，该系统是将晶圆放置于晶圆装载腔室和...

本发明揭露一种基板承载装置，包含一盘体，其具有一承载面，该承载面包括承载一基板的复数个凸起。

本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种用于晶圆处理设备的装载室，所述装载腔体组合包括装载腔本体、一个或复数个腔体加热器，所述装载腔本体为一体式加工成型，利用中间隔离板，被分割成四个腔室，上部两个腔室和下部两个腔室又进一...

本发明公开了一种用于多等离子处理腔的射频系统，包括：复数个匹配调节单元，其与一匹配网络电耦接以产生适用于等离子工艺的射频讯号。该复数个匹配调节单元的每一者包含一第一可变电子组件及一第二可变电子组件，其中该第一可变电子组件具有连接匹配网络...

本发明公开了一种混气结构，用于将气体混合，所述混气结构在内部形成有：一混气室；复数个气体通道；其中，所述混气室具有一顶端以及一开口端，所述顶端呈现穹顶状，所述复数个气体通道连通于所述顶端而与所述混气室连通，所述开口端用来供经混合的气体流...

本发明涉及一种电加热喷淋板及其控温系统，该系统通过电加热器、热电偶和温控器的配合实现温度的精准控制。此种喷淋板可以加热至400℃以下，其温度上限主要受加热丝及喷淋板的材料限定，若系统可以使用更耐高温的材料，则可以突破400℃的温度限制。...

本发明公开了一种半导体加热盘复合控温系统及控温方法，其中，所述系统包括：设置于真空腔体内的加热盘和设置于真空腔体外的加热器、温控器和油温机，其中，加热盘内部设置流体通道，加热盘上还设置有用于检测加热盘上表面温度的第一热偶，所述温控器分别...

本发明关于一种用于半导体处理腔体的晶圆座，尤其是指一种具有多区域加热手段的晶圆座及包含该晶圆座的反应腔体。该晶圆座，包含：一盘体；一加热组件，嵌入于该盘体中；及一热绝缘组件，嵌入于该盘体中的一径向位置，并基于该径向位置将该盘体划分为第一...

本发明提供了一种半导体镀膜设备的喷淋装置，包括顶板、第一进气部、第二进气部、第一气体分配单元、第二气体分配单元、间隔孔板、第一排气管路、第二排气管路和喷淋头。本发明在所述第一气体分配单元和所述第二气体分配单元内设置第一扩散孔板和第二扩散...

本发明涉及一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，该加热盘包括，带有加热底座的基体，底座上设有加热装置；所述的底座下设有连接块，连接块上设有降温结构及密封结构。该加热盘从提高射频导通能力及密封效果两...

本实用新型涉及半导体镀膜技术领域，特别提供了一种可以改变薄膜形貌的晶圆支撑装置，包括一圆环状主体，所述的圆环状主体的内侧面为阶梯状设计。本实用新型的优势在于，结构简单，有利于改善薄膜形貌，对于晶圆固定效果好，适合支撑多个尺寸的晶圆。

一种圆弧型加热带，系用来包覆管路并保持前述管路之温度，其包含：圆弧型带体；加热丝，其系分布于前述圆弧型带体中；及固定装置，其系用来将前述圆弧型带体固定至前述管路上。藉由上述特征，当以该圆弧型加热带包覆管路时，能与管路紧密接触，达到均匀的...

本发明涉及一种高效半导体成膜用液体汽化器，该液体汽化器通过将特定成膜用液体原料进行汽化，最后通过载气将汽化后的气体通过气路输出到半导体成膜的反应腔中制备薄膜。该液体汽化装置包含一主体及一阻挡器。该主体定义一腔体，该腔体具有用于接收一或多...

本发明公开了一种用于半导体处理腔体的遮蔽装置及其使用方法，其中，遮蔽装置包含一遮蔽环及一支撑组件。该遮蔽环的一底面具有复数个凸块，用于防止腔体的一承载盘与该遮蔽环接触。该支撑组件连接至该遮蔽环，该支撑组件的一底面经配置而与所述处理腔体中...

本发明涉及半导体薄膜沉积设备技术领域，具体地说是一种可通入多种工艺气体的气体分流合流装置，包括合流阀、分流阀及清洗阀，所述的合流阀上设有多个进气口与一个出气口，所述的一个进气口连接一清洗阀，其余进气口分别对应连接一分流阀。所述合流阀、分...

本发明提供一种用于晶圆承载盘之支撑结构，尤其所述晶圆承载盘的一晶圆承载面定义有用于容置所述支撑结构之孔。所述支撑结构包含具有一第一表面及一第二表面的一本体，该本体延伸于该第一表面与该第二表面之间，且该第一表面具有一隆起部用于支撑晶圆。该...

本发明公开了一种半导体加工设备的液体流量校准系统及校准方法，其中，校准系统包括：液体汽化器、反应腔、压力规和控制单元；校准方法包括：校准反应腔的腔体环境；计算腔体稳定压力与液态源流量的关系因子R；重新校准反应腔的腔体环境，并核实关系因子...

本发明提供一种用于等离子体处理设备的RF讯号传递装置，包含被包覆在一盘体中的一金属层及用于传递RF讯号的一金属棒。其中，该金属棒具有一上端及一下端，该金属棒的上端电性耦接至该电极层，且该金属棒的上端与该金属层之间具有一磁性金属接触。该金...