一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘制造技术

本发明专利技术涉及一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，该加热盘包括，带有加热底座的基体，底座上设有加热装置；所述的底座下设有连接块，连接块上设有降温结构及密封结构。该加热盘从提高射频导通能力及密封效果两方面入手，通过合理的加热盘结构设计及材料选择，提高了射频导通面积，改善了热量传递，同时合理布置并增加了冷却液流动空间，减少从加热盘表面传导到连接块的热量，降低了密封圈的受热温度，提高了其密封效果，起到了优良的真空与大气隔绝能力。两种功能的改善最终提高了薄膜沉积质量。因此本方案是一种更加高效的半导体成膜用加热盘。

A heating plate to improve RF conduction and sealing effect

The invention relates to a heating disc for improving radio frequency conductivity and sealing effect, belonging to the field of semiconductor film deposition application and manufacturing technology. The heating disc comprises a substrate with a heating base and a heating device arranged on the base; a connecting block is arranged under the base, and a cooling structure and a sealing structure are arranged on the connecting block. The heating disc improves the radio frequency conduction capacity and sealing effect from two aspects. Through reasonable design of the heating disc structure and material selection, the radio frequency conduction area is increased and heat transfer is improved. Meanwhile, the cooling fluid flow space is rationally arranged and the heat transferred from the surface of the heating disc to the connecting block is reduced. The heating temperature of the sealing ring improves the sealing effect and has excellent vacuum and atmosphere insulation ability. The improvement of the two functions ultimately improves the quality of film deposition. Therefore, the scheme is a more efficient heating plate for semiconductor film forming.

【技术实现步骤摘要】
一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘
本专利技术涉及一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，属于半导体薄膜沉积应用及制造

技术介绍
目前，在半导体薄膜沉积应用及制造
，加热盘的射频导通以及基体冷却效果并不显著，冷却效果不显著进而会导致密封效果不达标，未能给反应腔提供一个良好的真空环境。现阶段，对于传统的加热盘，用于导通射频的线圈以及用于密封的O型密封圈都放置在同一且作用空间狭小的位置，射频导通有效面积过小影响薄膜沉积效果，同时冷却液流动区域位于加热盘底座及O型密封圈下部，这样加热盘底座的热量是先通过O型密封圈然后再传导至冷却区域，使得冷却液未能对热量进行有效隔绝，过高的温度长时间作用于O型密封圈，导致密封效果不满足要求，同样也影响了薄膜沉积效果。因此一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘就成为半导体薄膜沉积应用及制造技术关注的重点。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术提供了一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，包括，带有加热底座的基体，底座上设有加热装置；所述的底座下连接设有连接块，连接块内设有降温结构及密封结构。进一步地，所述的加热装置，为铺设在底座上的加热丝，所述加热丝与电源连接。进一步地，所述的降温结构为可供冷却液循环流通的管道。进一步地，所述的管道是通过以下结构形成的，即连接块上设有连接块外面体、内面体及底部，内、外面体及底部配合形成的冷却液流通管道，同时在连接块底部设有与冷却液流通管道相通的入口冷却水管与出口冷却水管。进一步地，在连接块的外面体上设有两圈环形分布的垫圈，两圈垫圈设置用于增加射频导通面积，是卡在连接块外面体上。进一步地，在加热底座下部设有一内部为空腔的支撑柱，连接块的上部置于支撑柱内，连接块底部周围向外凸起形成一圈凸台，支撑柱底部置于凸台上，并于与凸台通过螺栓连接固定。为了防止进行螺栓固定时，破坏连接块底面，这时我们在连接块底部在连接块的下部上设有一层平垫圈，平垫圈防止安装螺钉时划伤连接块表面。进一步地，密封结构具体为，在凸台上，与支撑柱(同时也是基体)底部接触处设有一圈凹进卡槽，O型密封圈设置在卡槽内，O型密封圈的上部与支撑柱底部接触，对支撑柱与连接块接触处实现密封。进一步地，所的加热盘底座的材质为金属镍或者金属镍合金。该加热盘从提高射频导通能力及密封效果两方面入手，通过合理的加热盘结构设计及材料选择，提高了射频导通面积，改善了热量传递，同时合理布置并增加了冷却液流动空间，减少从加热盘表面传导到连接块的热量，降低了密封圈的受热温度，提高了其密封效果，起到了优良的真空与大气隔绝能力。两种功能的改善最终提高了薄膜沉积质量。因此本申请专利是一种更加高效的半导体成膜用加热盘。附图说明图1是本专利技术的一个实施例的二维结构示意图；图2是加热盘基体内部结构图；图3是连接块二维剖面图；图4是连接块三维图；图5是射频传导路线图；图6是本专利技术的一个实施例的二维结构示意图；具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。参考图1-6，本专利技术提供了一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，该加热盘包括，一基体1，基体1的上部为圆形的加热盘底座11，底座下部连接一具有高度的内部为空腔设计的支撑柱14，底座11上环形铺设有两根加热丝，即内圈加热丝12与外圈加热丝13，内圈加热丝12负责加热加热盘底座中心部分，外圈加热丝13负责加热加热盘底座边部位置，两根加热丝下部延长到支撑柱14内。支撑柱14下部连接一连接块2，所述的连接块2采用钢材质，整体为具有底部的近圆柱体状，连接块2底部外围向外突出形成一圈水平凸台，凸台内部也具有空腔，所述的圆柱体内部为双层壁设计，此双层壁分别为连接块外面体21及内面体22，内、外面体及底部配合形成了冷却液流通管道27，同时在连接块2底部设有与冷却液流通管道相通的入口冷却水管24与出口冷却水管25。这里面凸台内的空腔与流通管道27连通，冷却水流也可以进入到底部凸台内。连接块2固定在支撑柱14的底部上，上部插入在支撑柱14内，支撑柱14底部与凸台通过螺栓5连接固定在一起，这里螺栓5可以选择六角螺钉。为了防止进行螺栓4固定时，破坏连接块2底面，这时我们在连接块2外下部在上粘有一层平垫圈3，平垫圈3防止安装螺钉时划伤连接块2表面，同时为了调节松动，可以在螺栓杆上，平垫圈3下部设有一个弹簧垫圈4。这里提到到的密封结构，具体为，在连接块2上，与基体1下端接触处匹配设有一圈凹进卡槽，一个O型密封圈26置于卡槽内，且O型密封圈26上部与基体1底端接触，对连接块2与基体1接触处实现密封，本方案通过将连接块2设置成内、外面体配合，并配合入口冷却水管24与出口冷却水管25的降温结构设计，可以降低通过加热盘传导给位于连接块2上的O型密封圈26的热量，进而达到了很好的密封效果。作为方案的改进，在连接块2的外面体21上设有两圈环形分布的垫圈23，两圈垫圈23设置用于增加射频导通面积，可以在外面体上设有多个卡槽，使得垫圈23卡接在连接块2外面体的。作为方案的改进，所的加热盘底座11的材质为金属镍或者金属镍合金。基于该汽化器新结构，具体工艺流程为：电流通过电源线给加热丝供电，进而使得加热盘底座11升温至目标温度。沉积工艺开始，由于加热盘底座11材料为金属镍或者金属镍合金，居里温度为354℃，故工艺温度下，加热盘底座11具有良好的射频导通性能，进而加热盘表面的等离子体通过底座11外表面、垫圈23、连接块外面体2.1外表面最后接地。冷却水从入口冷却水管24进入，从出口冷却水管2.5流出，循环流动。加热盘表面的热量通过加热盘底座11、垫圈23、连接块外面体21传导至冷却液流通管道27，冷却液通过对流传热降低连接块2外面体21表面温度，进而降低了安装于接块外面体的O型密封圈26受热温度，提高其密封效果，使得反应腔有一个好的真空环境。射频的良好导通、热量的有效交换以及密封效果的改善最终提高薄膜沉积质量。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，其特征在于：包括，带有加热底座的基体，底座上设有加热装置；所述的底座下设有连接块，连接块上设有降温结构与密封结构。

【技术特征摘要】
1.一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，其特征在于：包括，带有加热底座的基体，底座上设有加热装置；所述的底座下设有连接块，连接块上设有降温结构与密封结构。2.如权利要求1所述的一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，其特征在于：所述的加热装置，为铺设在底座上的加热丝。3.如权利要求1所述的一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，其特征在于：所述的降温结构为可供冷却液循环流通的管道。4.如权利要求3所述的一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，其特征在于：连接块上设有连接块外面体、内面体及底部，内、外面体及底部配合形成了冷却液流通管道，同时在连接块底部设有与冷却液流通管道相通的入口冷却水管与出口冷却水管。...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒见淳一，周仁，候彬，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21