【技术实现步骤摘要】
陶瓷环及具有陶瓷环的半导体反应腔体
本专利技术是关于半导体反应腔体中的一种陶瓷环，尤其是关于具有定位能力的一种陶瓷环。
技术介绍
陶瓷是半导体反应腔体中常使用的材质，因陶瓷于高温的处理环境具有较佳的机械表现。在某些特定的半导体制程中，像是PECVD和ALD等，反应腔体中可配置陶瓷环来实现半导体的高温处理。举例而言，陶瓷环固定于腔室中且定义基板的处理区域，使不同的处理区域相互隔离，避免化学反应的过程相互干扰。在高温环境的暴露下，陶瓷环可能会发生一些问题：(1)陶瓷环内因温度梯度变化过大而产生结构应力差异，易使陶瓷环碎裂；(2)陶瓷环热涨冷缩的过程与周边结构相互摩擦产生破坏痕迹，易污染反应区域的基板；(3)陶瓷环热涨冷缩的过程导致结构偏离一中心位置，易使反应区域产生瑕疵。因此，为了增加陶瓷环的使用寿命，有必要设计一种能应付上述问题的陶瓷环及半导体反应腔体。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种陶瓷环，其具有一上表面、一下表面及在该上表面和该下表面之间延伸的一本体。该陶瓷环的下表面形成有多个定位槽，该等定位槽的每一个自该下表面向该本体延伸，且该等定位槽的每一个沿着该陶...
【技术保护点】
1.一种陶瓷环，具有一上表面、一下表面及在该上表面和该下表面之间延伸的一本体，其特征在于，该陶瓷环的下表面形成有多个定位槽，该等定位槽的每一个自该下表面向该本体延伸，且该等定位槽的每一个沿着该陶瓷环的一径向方向延伸。
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷环，具有一上表面、一下表面及在该上表面和该下表面之间延伸的一本体，其特征在于，该陶瓷环的下表面形成有多个定位槽，该等定位槽的每一个自该下表面向该本体延伸，且该等定位槽的每一个沿着该陶瓷环的一径向方向延伸。2.如权利要求1所述的陶瓷环，其特征在于，其中该定位槽是由该下表面的一内凹曲面所形成。3.如权利要求1所述的陶瓷环，其特征在于，其中该定位槽是由该下表面的具有一夹角的内凹面所形成。4.如权利要求1所述的陶瓷环，其特征在于，其中该上表面设置有多个定位凸部。5.如权利要求1所述的陶瓷环，其特征在于，用于包围一半导体反应腔体的一反应区。6.一种半导体反应腔体，具有由一顶部及一底部所定义的一腔室，该腔室中提供有一实体水平面及放置于该实体水平面上的一陶瓷环，其特征在于，该陶瓷环与该实体水平面之间提...
【专利技术属性】
技术研发人员：张亚新，金基烈，谭华强，孙泽江，李景舒，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。