手动升降装置，主要解决了现有的产品结构复杂、造价高等技术问题。该装置包括波纹管组件，波纹管组件是由波纹管与上下法兰通过焊接而成。其上法兰固定于加热盘底部，下法兰压紧密封圈固定于稳流室底部实现波纹管固定与密封。波纹管组件的下法兰与导向铜套...

本实用新型涉及一种真空机械手晶圆托盘。采用的技术方案是：包括盘主体，盘主体的一端设有安装定位孔，盘主体的中部设有矫正工艺孔，盘主体两端的端角处分别设有支撑突起，盘主体的两端制有斜坡。所述的斜坡与盘主体水平面的夹角为50～70°，优选60...

本实用新型涉及一种新型加热盘上晶圆升降的顶针孔结构。采用的技术方案是：包括加热盘，其特征在于：加热盘上设有顶针升降孔，顶针升降孔的内表面上下两端分别设有上内环和下内环。还设有顶针，顶针与上内环和下内环活动连接。本实用新型减少了顶针与升降...

本实用新型涉及一种新型晶圆升降顶针结构。采用的技术方案是：由端头和顶杆构成，顶杆的外表面制成竹节状台阶结构。端头和顶杆为一体结构。所述的顶杆的外表面制成竹节状台阶结构，每一台阶的直径相同或不同。本实用新型减少了顶针与加热盘升降内孔的接触...

本实用新型属于半导体薄膜沉积设备领域，具体地说是一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构，包括集气盒、RPS及出气管路，其中集气盒上连接有与进气管路连通的进气口，所述集气盒通过分气管路与RPS连通，RPS通过出气管路与各腔室连通。本...

本发明涉及半导体设备领域，具体为一种用于半导体设备中的多段式匹配器。该匹配器连接于射频电源和等离子体设备腔体之间，具体为一系列的固定电容串联，连在射频电源与等离子体设备腔体之间；依据等离子体设备腔体的不同工艺的不同阻抗，每个固定电容靠近...

本发明涉及PECVD设备刻蚀领域，具体为一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法，它是在PECVD设备进行腔体刻蚀清洗时，判断清洗完成的方法。需要判断刻蚀终止点的腔体与排气管道连通，排气管道上设有阀，通过排气管道上阀的开度来判断刻蚀终止点。刻...

本发明涉及PECVD设备刻蚀领域，具体为一种通过压强变化判断刻蚀终止点的方法，它是在PECVD设备进行腔体刻蚀清洗时，判断清洗完成的方法。需要判断刻蚀终止点的腔体与排气管道连通，排气管道上设有阀，通过监测腔体内压强变化来判断刻蚀终止点。...

本实用新型涉及一种极间距测量装置，以解决极间距测量技术中误差较大，成本高等问题。采用的技术方案是：在圆形托板上固定安装至少三个光电传感器，光电传感器与显示装置连接。所述的圆形托板制成大小与晶圆的大小相同。所述的光电传感器为反射式光电传感...

本实用新型涉及ＰＥＣＶＤ设备领域，具体为一种ＰＥＣＶＤ设备翻盖机构。该翻盖机构设有双孔限位铰链、气弹簧、铰链旋转轴、限位销，双孔限位铰链包括铰链上半部分、铰链下半部分，铰链上半部分与盖板连接，铰链下半部分与机体连接；铰链上半部分设有两个...