【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及PECVD设备刻蚀领域,具体为,它是在PECVD设备进行腔体刻蚀清洗时,判断清洗完成的方法。
技术介绍
刻蚀技术(etching technique),是在半导体工艺中,按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。PECVD设备的刻蚀清洗指在PECVD设备进行沉积薄膜工艺后,会有薄膜沉积到腔体内壁以及腔体里面的零部件表面上,当薄膜积累过多时,会脱落到晶圆上,严重影响薄膜工艺。所以需要在薄膜脱落前,将它们用刻蚀的方法清洗掉。刻蚀清洗过程在腔体内通入氧气、C2F6,打开射频,使腔体内产生等离子体,从而发生化学反应,使腔体内壁以及腔体里面的零部件上的薄膜生成气体,排走。现有技术中,判断刻蚀终止点的方法主要有发射光谱法、红外光谱法、RF电压监测法、质谱仪法等,其中(1)发射光谱法的缺点腔体需开孔,增加成本及加工复杂性;刻蚀清洗时需采用腔体内辉光刻蚀,辉光刻蚀已逐步被淘汰。(2)红外光谱法的缺点成本高,有很强的专利限制(US6191864、US6228277, US6582618、US 6081334、US 5888337、US 5780315、US 5552016 和 US6878214 等);传感器容易脏,影响精确度。(3)RF电压监测法的缺点刻蚀清洗时需采用腔体内辉光刻蚀,辉光刻蚀已逐步被淘汰。(4)质谱仪法的缺点成本极高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供,解决现有技术中存在的成本较高等问题。本专利技术的技术方案是,需要判断刻蚀终止点的腔体与排气管道连通,排气管道上设有阀,通过监测腔体内压强变化来判断刻 ...
【技术保护点】
1.一种通过压强变化判断刻蚀终止点的方法,其特征在于:需要判断刻蚀终止点的腔体与排气管道连通,排气管道上设有阀,通过监测腔体内压强变化来判断刻蚀终止点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:林英浩,
申请(专利权)人:沈阳拓荆科技有限公司,
类型:发明
国别省市:89
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