沈阳拓荆科技有限公司专利技术

沈阳拓荆科技有限公司共有350项专利

  • 一种通过真空装载腔为晶圆预热的装置及方法,主要解决现有的晶圆加热方法及加热结构因加热时间及加热温度无法满足要求而带来的成膜质量不好或产能降低等问题。本发明通过增加一个可加热的真空装载腔,在沉积反应前对晶圆进行预加热,当晶圆温度满足要求时...
  • 本实用新型是关于一薄膜沉积设备及其基材传输装置。根据本实用新型一实施例的基材传输装置包含:设置于一传输室的若干机械手臂,及设置于至少一反应室的若干基材工位。其中若干机械手臂与至少一反应室内的基材工位对应,各机械手臂可放置基材至所述至少一...
  • 本实用新型涉及原子层沉积设备。一种原子层沉积设备包括:传送室(110);分别与传送室连通的预清洗室(134)、热处理室(138)、加载闭锁室(140)、以及多个反应室(121、122、123);与加载闭锁室连通的前端模块(150);传送...
  • 本实用新型涉及原子层沉积设备。一种原子层沉积设备包括:反应室(110);上盖板(120),其可密封地接合于反应室的顶部,并设置有开口,工艺气体经由开口进入反应室的内部腔室;安置于反应室的一侧且与之连通的加载闭锁室(130);气体分配器(...
  • 一种利用前端模块为晶圆加热的装置及方法,主要解决现有的晶圆加热方法及加热结构因加热时间及加热温度无法满足要求而带来的成膜质量不好或产能降低等问题。本发明通过增加一个可加热的真空装载室,真空装载室可安装在设备前端模块内部或设备前端模块的装...
  • 腔体气流方向可变结构,主要解决现有技术中抽气组件只能提供负压和控制流量,不能实现控制气体流向的技术问题。它包括腔体,腔体的侧面设有气室。上述腔体内的承载面A及承载面B沿腔体轴向上下布置,承载面A上放置大径陶瓷环,小径陶瓷环放置于腔体内的...
  • 两种气体独立均匀喷气喷淋装置,主要解决现有技术存在的加工成本高及容易出现废品等问题。它包括双通道进气板、扩散挡板、匀气环及喷淋孔板。其结构是将扩散挡板焊接在双通道进气板的中心处,上述扩散板与双通道进气板构成第一个部分。将匀气环与喷淋孔板...
  • 宝石柱存放、测量、标识工装,主要解决现有技术不能将衬底与加热装置之间精确隔开,导致加热反应温度不易控制的技术问题。该工装采用双面分区方式,隔离不同的装载区域,能够满足多种规格宝石柱同时、独立的按照标识存放的新型结构。它包括一个双面箱体,...
  • 一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱,通过提供一种在陶瓷柱孔镶嵌陶瓷柱底座并采用多个结构相同,但高度不同的陶瓷柱,来实现各支撑点处的高度一致的技术问题。具体结构是在加热盘凸台表面的陶瓷柱孔内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座,组成新型加热盘,同时每...
  • 两种气体隔离式中部均匀分气喷淋装置,主要解决现有技术结构复杂、加工成本高等问题。它包括进气法兰、分气部件、扩散柱及喷气盘面部件。所述分气部件的上端焊接进气法兰,进气法兰上设置进气口与进气口A,进气口与分气部件的圆孔相通。上述进气口A与环...
  • 气体扩散装置,主要解决现有气体扩散装置所用配件价高易损的技术问题。它包括金属垫片面密封接头、主体安装法兰、主体筒体及盘体。上述主体安装法兰上制有螺栓孔;上述盘体上制有小孔。金属垫片面密封接头和主体安装法兰通过螺纹连接。主体安装法兰上有密...
  • 两种气体隔离式喷淋装置,主要解决现有技术存在的成本高、加工周期长及容易出现废品的问题。它包括进气法兰、分气部件、侧壁及喷淋盘面部件。上述喷淋装置内设有相互隔离的两个气体通道,两种气体的两个气体入口设置在分气部件的上端。两种通道均延伸至分...
  • 一种半导体镀膜设备用高温观察盖板,主要解决现有设备反应腔体的高温工艺过程是不可观察的状况。结构中的可视部分选用了透明的光学用石英玻璃,这样能直接观察机械手的传片、放片及取片的过程、硅片镀膜的工艺过程及陶瓷件偏移或碎裂的过程等。它包括把手...
  • 手握式晶圆支架校准工装,主要解决现有技术中晶圆支架无专用位置校准工装的技术问题。它包括工装把手,工装把手及固定挡板固定在底板上,推杆穿过固定挡板与弹簧夹板通过螺栓进行连接。上述底板与双层传片腔体通过底板下表面的精加工凸台与双层传片腔体腔...
  • 螺接式陶瓷环定位用销,为了解决铝制加热盘外缘所镶嵌的陶瓷环无固定而偏移的技术问题,而在陶瓷环圆周上,通过螺纹连接的方式,均匀固定三个或多个陶瓷定位销,来实现对陶瓷环在圆周或是径向的定位。上述陶瓷环镶嵌在铝制加热盘的外缘,在加热盘凸台面靠...
  • 立柱式陶瓷环定位用销,主要解决陶瓷环因没有固定,容易出现偏移而导致晶圆也出现偏移的问题。本发明是通过在圆周上均匀分布的三个或多个定位销,来实现对陶瓷环的定位。具体结构:陶瓷环镶嵌在铝制加热盘的外缘,它与加热盘的接触面是平面。在加热盘凸台...
  • 一种等离子发生器混气管路,包括上端焊接加工件、中部混气块、底部陶瓷座及进气管路。所述上端焊接加工件由等离子体进气法兰连接管、三通连接件、圆柱管路及管路端头连接件焊接而成。三通连接件的底部设有水路进出口,用于混气管路的冷却。中部设有对称的...
  • 双层传片腔体,主要解决现有技术为了实现上下两层传片的功能而使设备整体维护复杂,增加设备使用成本的问题,而设计了一种能够实现双层多腔室的独立传片组合腔体。所述的双层多腔室中的上层和下层腔体分别为独立密闭腔室,每层腔体都可以独立进行传片操作...
  • 一种新型晶圆承载装置,主要解决现有的晶圆承载装置不能很好的稳定的实现对晶圆的承载,导致工艺失败的问题。它包括铝加热盘,铝加热盘外缘镶嵌一个环,环的内部设置一个凹槽,环的凹槽边缘与晶圆的最外圆周下表面直接接触,从而实现对晶圆的支撑,在加热...
  • 一种同心环式多气体独立通道的喷淋结构,主体以同心环形式均匀布置两个分区,分别作为气体A分区及气体B分区独自分区,上述气体A、B在分区扩散后从各自分区中的气体出口进入腔室。上述主体同心环的中间位置设有气体C通道,气体C直接从两个通道进入反...