一种高产能半导体薄膜沉积设备，包括前置设备(1)、储存腔(2)、传片腔(3)及反应腔(4)。前置设备(1)通过门阀与储存腔(2)连接，晶圆升降机构处于储存腔(2)内。储存腔(2)与传片腔(3)连接。传片腔(3)与三个反应腔(4)连接。储...

晶圆压紧结构，主要解决现有的半导体镀膜设备没有压紧结构，存在着晶圆翘曲所带来的产品不良率高的问题。该结构包括主体，主体与电机连接。所述主体包括压板、加热盘、顶针及托盘。所述顶针的上、下两端分别设在加热盘与托盘的内孔中，并在其内孔中上下滑...

一种避免空心阴极放电的喷淋头，解决现有技术存在的半导体镀膜设备在沉积工艺过程中出现的空心阴极放电现象的问题，本实用新型提供一种避免空心阴极放电的喷淋头，喷淋头与载物台形成相对面，载物台上放置所载物，该喷淋头包括喷淋头本体，所述喷淋头本体...

一种新型抽气管路，包括管体，凸台和可旋转法兰盘组成。凸台设置在管体的两端与管体为一体结构，可旋转法兰盘设置在凸台的外圈。本实用新型在保证功能的前提下，减小了加工的难度，也更利于跟PECVD腔体进行装配。

设备装调移动工装，包括连接杆，连接板，支撑件，螺母和脚轮。连接杆一端通过连接板与想要移动的设备连接，另一端通过螺母与支撑件连接。脚轮固定在支撑件的下端。本实用新型结构紧凑合理，由于使用本设备装调移动工装可以防止设备倾倒，同时可以调整设备...

本实用新型提供一种改善晶圆表面薄膜形貌的斜坡陶瓷环，位于载物台上，陶瓷环上设有承载待处理晶圆的凹槽，所述凹槽的高度边相对于水平面不垂直，角度可以在90°到180°之间变化。在高温工艺过程中，当气体流经凹槽高度边时，倾斜的高度边可以减小对...

一种热盘保护装置，解决了现有设备热盘侧壁与腔内其他零部件之间产生电弧放电现象。该装置包括热盘、陶瓷环、陶瓷套。所述陶瓷环放置在热盘上，陶瓷环的内圈表面与热盘的凸台外侧表面处于同心状态，陶瓷环的下表面与热盘的外圈上表面紧密贴合。再将陶瓷套...

晶圆承载定位机构及安装方法，解决了现有设备在常温和高温条件下，无法精确定位的问题。该定位机构，包括热盘及定位陶瓷环本体。所述热盘上加工有环形凹槽；所述陶瓷环本体放置在热盘的环形凹槽内。安装方法：在常温状态下，热盘的环形凹槽的外圈与陶瓷环...

本发明提供一种能够在半导体等离子体处理装置中，可改变晶圆表面薄膜形貌的陶瓷环。所述陶瓷环位于载物台上，用于待加工晶圆的承载。所述陶瓷环上承托晶圆台阶的边缘为直角，台阶高度d1可设置不同尺寸，在高温工艺过程中，当等离子体气流通过台阶边缘时...

一种8寸与12寸基板通用的平台结构，在不更换设备零部件的前提下，可实现两种产品生产模式的迅速切换。它包括：通用设备前端模块、通用负载模块、通用传片模块。其中，通用设备前端模块的机械手上使用的是通用机械手手指，由于该手指具有两层台阶，台阶...

采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题，主要解决等离子体化学气相沉积生产过程中，在多个腔体进行跑片时，由于机械手调度的问题，导致其中某个腔体空闲,从而引起的第一片效应的问题。该方法是在腔体空闲时间歇的通入一定气体，来加强加热盘与...

氮氧硅薄膜的制备方法，主要解决现有技术使用热氧化和化学法进行气相沉积，存在沉积温度高及薄膜的各项指标不容易控制的问题。实现步骤：1、载物台控温：下电极通过热偶精确控制温度；2、装样：基板通过自动传片系统传入反应腔室；3、通气：从反应腔室...

低温沉积氮化硅薄膜的方法，是一种能够在较低温度下制备氮化硅薄膜的方法。采用本方法制备的薄膜主要应用于OLED封装技术。本发明由射频系统提供稳定的射频，下电极通过热偶精确控制一个较低的温度，在基板上通过等离子体技术沉积出氮化硅薄膜，并在沉...

本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种应用于薄膜沉积装置喷淋头中的双气路中心进气结构，所述进气结构的进气气路包括气体A进气气路和气体B进气气路，两条气路均为喷淋头中央进气，并且两条进气气路相互独立，解决了不同气体提前在...

一种新型腔内陶瓷环，是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡解决电荷堆积的技术问题。其具体结构：它包括晶圆、热盘及陶瓷环。所述陶瓷环的边缘加工有圆角，圆角包括陶瓷环外缘上角、陶瓷环外缘下角、陶瓷环内缘上角及陶瓷环内缘下角。所述陶瓷环外...

新型温控系统在低温薄膜制备中的应用，主要解决现有技术进行薄膜沉积时不能连续生产且低温工艺产能低的问题。所述温控系统是采用温控加热盘的方式，是通过介质油对加热盘进行温度的控制来实现，以达到在工艺前后加热盘的温度保持在设定温度范围。在射频输...

本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种测试喷淋头气流均匀性的装置及测试方法，包括喷淋头、滤网A、泡沫分区装置和滤网B，滤网A紧密贴合在喷淋头的下表面，并且涂覆有粘性发泡剂，泡沫分区装置是由多个等间隙圆柱形同心无盖无底筒...

一种新型腔内倒角陶瓷环，将陶瓷环承托晶圆的圆形凹槽的边缘加工成斜角，并在边缘利用圆弧过渡防止电荷堆积。所述陶瓷环放在热盘上，晶圆放在陶瓷环的圆形凹槽内。工艺时，工艺气体从晶圆上方喷下，并形成等离子体，反应物沉积在晶圆表面，其他副产物和带...

一种采用TEOS源的低温镀膜方法，主要为满足现有技术TSV在封装生产阶段，绝缘层的沉积温度需要小于200℃的需求，而提供一种等离子体增强化学气相沉积作为低温沉积绝缘层的方法。该方法是将基片传入真空反应腔，下电极通过热偶精确控制一个较低的...

可更换的晶圆承托结构，解决了现有晶圆承托结构不易更换的问题。该结构包括热盘、陶瓷套、陶瓷柱及专用夹钳。所述热盘加工有圆形沉孔，将陶瓷套放入沉孔，再将陶瓷柱放入陶瓷套。所述陶瓷套内孔边缘制有倒角，可使陶瓷柱球面部分露出，陶瓷柱的球面部分制...