一种新型腔内陶瓷环，是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡解决电荷堆积的技术问题。其具体结构：它包括晶圆、热盘及陶瓷环。所述陶瓷环的边缘加工有圆角，圆角包括陶瓷环外缘上角、陶瓷环外缘下角、陶瓷环内缘上角及陶瓷环内缘下角。所述陶瓷环外缘上角、陶瓷环外缘下角、陶瓷环内缘上角及陶瓷环内缘下角其圆角的半径在0.5mm-2mm。本发明专利技术结构简单、易加工、安全可靠及可有效防止尖端放电现象。主要应用于半导体镀膜设备反应腔内常温或高温工艺过程中，属于半导薄膜沉积的应用技术领域。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体镀膜设备用的晶圆承载机构，该承载机构为一种新型腔内陶瓷环，主要应用于半导体镀膜设备反应腔内常温或高温工艺过程中，属于半导体薄膜沉积的应用
技术介绍
现有的半导体镀膜设备的晶圆承载陶瓷环的边缘为尖角，在高温工艺过程中，尖角边缘易造成电荷堆积，易造成尖端放电，形成电弧放电现象，对工艺结果造成负面影响，并可能损伤腔内硬件。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的，设计了一种新型腔内陶瓷环，较好地解决了工艺过程中的尖端放电的问题。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案:一种新型腔内陶瓷环，是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡防止电荷堆积。其具体结构:它包括:晶圆(1)、热盘(2)及陶瓷环(3)。所述陶瓷环(3)的边缘加工有圆角，圆角包括陶瓷环外缘上角(4)、陶瓷环外缘下角(5)、陶瓷环内缘上角(10)及陶瓷环内缘下角(7)。所述陶瓷环外缘上角(4)、陶瓷环外缘下角(5)、陶瓷环内缘上角(10)及陶瓷环内缘下角(7)其圆角的半径在0.5mm-2mm0本专利技术的有益效果及特点在于:1、结构简单，易加工；2、安全可靠，可有效防止尖端放电现象；3、易于在半导体薄膜沉积的
中推广和应用。【附图说明】图1是本专利技术的结构示意图。图2是陶瓷环的局部放大示意图。图中零件标号分别代表:1、晶圆；2、热盘；3、陶瓷环；4、陶瓷环外缘上角；5、陶瓷环外缘下角；6、热盘外缘上角；7、陶瓷环内缘下角；8、热盘凸台下角；9、热盘凸台上角；10、陶瓷环内缘上角；11、晶圆外缘；12、陶瓷环晶圆限位槽边角。【具体实施方式】实施例参照图1，一种新型腔内陶瓷环，是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡防止电荷堆积。其具体结构:它包括:晶圆1、热盘2及陶瓷环3。所述陶瓷环3的边缘加工有圆角，圆角包括陶瓷环外缘上角4、陶瓷环外缘下角5、陶瓷环内缘上角10及陶瓷环内缘下角7。所述陶瓷环外缘上角4、陶瓷环外缘下角5、陶瓷环内缘上角10及陶瓷环内缘下角7其圆角的半径在0.5mm-2mm0所述陶瓷环3放在热盘2上，晶圆I放在陶瓷环2的圆形限位槽内。工艺时，工艺气体从晶圆I上方喷下，并形成等离子体，反应物沉积在晶圆I的表面，其他副产物和带电粒子逐渐向四周移动，最终被排除腔体。这个过程中带电粒子会吸附在陶瓷环3的表面，并产生堆积，由于陶瓷环3的陶瓷环外缘上角4、陶瓷环外缘下角5、陶瓷环内缘上角10、陶瓷环内缘下角7、陶瓷环晶圆限位槽边角12是圆角结构，面与面通过圆弧过渡。工艺过程中，带电粒子不会在边缘形成过度堆积，避免了陶瓷环外缘上角4与热盘外缘上角6之间、陶瓷环外缘下角5与热盘外缘上角6之间、陶瓷环内缘下角7与热盘凸台下角8之间、热盘凸台上角9与陶瓷环内缘上角10之间、晶圆外缘11与陶瓷环晶圆限位槽边角12之间产生放电现象，从而保证了工艺的稳定性。【主权项】1.一种新型腔内陶瓷环，其特征在于:该陶瓷环是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡防止电荷堆积。2.如权利要求1所述的新型腔内陶瓷环，其特征在于:它包括晶圆(I)、热盘(2)及陶瓷环(3)，所述陶瓷环(3)的边缘加工有圆角，圆角包括陶瓷环外缘上角(4)、陶瓷环外缘下角(5)、陶瓷环内缘上角(10)及陶瓷环内缘下角(7)。3.如权利要求2所述的新型腔内陶瓷环，其特征在于:所述陶瓷环外缘上角(4)、陶瓷环外缘下角(5)、陶瓷环内缘上角(10)及陶瓷环内缘下角(7)其圆角的半径在0.5mm-2mm。【专利摘要】一种新型腔内陶瓷环，是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡解决电荷堆积的技术问题。其具体结构：它包括晶圆、热盘及陶瓷环。所述陶瓷环的边缘加工有圆角，圆角包括陶瓷环外缘上角、陶瓷环外缘下角、陶瓷环内缘上角及陶瓷环内缘下角。所述陶瓷环外缘上角、陶瓷环外缘下角、陶瓷环内缘上角及陶瓷环内缘下角其圆角的半径在0.5mm-2mm。本专利技术结构简单、易加工、安全可靠及可有效防止尖端放电现象。主要应用于半导体镀膜设备反应腔内常温或高温工艺过程中，属于半导薄膜沉积的应用
【IPC分类】H01L21/687, C23C14/50, C23C16/458【公开号】CN105132890【申请号】CN201510523955【专利技术人】柴智 【申请人】沈阳拓荆科技有限公司【公开日】2015年12月9日【申请日】2015年8月24日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型腔内陶瓷环，其特征在于：该陶瓷环是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡防止电荷堆积。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：柴智，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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