一种薄膜晶体管（ＴＦＴ），包括轻掺杂漏区（ＬＤＤ）或偏移区，其中，薄膜晶体管形成为使得多晶硅衬底的主晶粒边界不位于ＬＤＤ区或偏移区。

一种用于薄膜晶体管的电极的新颖的设计。该新颖的设计使得即使在进行热处理工艺之后，在源极和漏极之间仍形成正常的导电沟道，以及一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。该薄膜晶体管包括了源极、漏极、栅极和半导体层，其中源极、漏极和栅极中的至少一个包...

提供一种用于ＴＦＴ显示器中导电元件的结构。该结构是基于铝的并且经过热处理。热处理后，由于存在钛层而不会形成小丘。此外，由于在铝与钛层之间存在ＴｉＮ扩散层而不形成ＴｉＡｌ↓［３］。这种新颖结构具有低电阻率，因此适用于采用薄膜晶体管来驱动像...

一种平板显示器，它包含：　　　　多个象素，各个象素包括多个子象素，各个子象素包含　　　　自发光元件；以及　　　　驱动薄膜晶体管，各个驱动薄膜晶体管具有半导体有源层，半导体有源层具有连接到驱动晶体管所属的子象素的自发光元件的沟道区，以便将...

一种用于制造薄的平板显示器的方法，该方法包括：　　　　制备可蚀刻的上基片和可蚀刻的下基片；　　　　在所述下基片的内表面上用这种方式形成图像显示装置，使得至少两个图像显示装置彼此隔离；　　　　把所述上基片和所述下基片组合在一起，使得所述图...

一种平板显示器，它包含：　　　　发光器件；　　　　开关薄膜晶体管，它包括具有用来将数据信号传送到发光器件的沟道区的半导体有源层；以及　　　　驱动薄膜晶体管，它包括具有用来驱动发光器件致使预定的电流根据数据信号而流过发光器件的沟道区的半导...

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管防止了由于台阶造成的短路，且本发明提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一形成于玻璃衬底上的缓冲层；一形成于所述缓冲层上的有源层；以及一形成于包括所述有源层在内的缓冲层上的栅极绝缘层，其...

提供了一种平板显示器。此平板显示器包括发光器件以及二个或更多个具有带沟道区的半导体有源层的薄膜晶体管（ＴＦＴ），其中，各个ＴＦＴ的沟道区的厚度彼此不同。于是，能够保持开关ＴＦＴ的更高的开关性质，能够满足驱动ＴＦＴ的更为均匀的亮度，并能够...

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管包括一有源层，其形成于一绝缘衬底上，且其中形成有沟道区、源极区和漏极区，其中一电压被施加到该沟道区上以释放在该沟道区中产生的热载流子。

一种平板显示器，它包含：　　　　发光器件；　　　　开关薄膜晶体管，它包括具有至少一个用来将数据信号传送到发光器件的沟道区的半导体有源层；以及　　　　驱动薄膜晶体管，它包括具有至少一个用来驱动发光器件致使预定的电流根据数据信号而流过发光器...

提供一种平板显示器，其中没有条纹出现在屏幕上，从而改善了图像质量。所述平板显示器具有矩阵型的子像素阵列，每个子像素包括驱动薄膜晶体管、由驱动薄膜晶体管驱动的第一电极以及与第一电极一起驱动发光单元的第二电极。驱动薄膜晶体管包括从半导体层中...

本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同，提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多...

一种ＣＭＯＳ薄膜晶体管以及使用该ＣＭＯＳ薄膜晶体管的显示器件改善了诸如电流迁移率和阈值电压这样的电特性。该ＣＭＯＳ薄膜晶体管被制造得使Ｐ型薄膜晶体管的有源沟道的方向与Ｎ型薄膜晶体管的有源沟道的方向彼此不同。包含在Ｐ型薄膜晶体管中的主晶界...

一种场序制液晶显示板，包括每个具有漏极、源极和栅极的薄膜晶体管，分别耦合到薄膜晶体管的漏极或源极的单元电极，耦合到薄膜晶体管的栅极的扫描电极线，耦合到薄膜晶体管的源极或漏极的数据电极线，以及设置在每个单元电极和相应的扫描电极线之间的存储...

本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的Ｐ型和Ｎ型薄膜晶体...

本发明涉及栅体短路的薄膜晶体管、其制造方法及相关显示器。该薄膜晶体管包括栅极金属层、掺杂有第一极性掺杂剂的本体层、掺杂有第二极性掺杂剂的源极层和漏极层、形成于源极层和漏极层之间的半导体层、以及连接该栅极金属层与该本体层的接触部。

一种薄膜晶体管和一种有源矩阵平板器材。通过形成具有多重剖面的一传导材料层，减少了临界尺寸（ＣＤ）偏差和提高了分级覆盖。该薄膜晶体管包括形成于一绝缘衬底上的传导材料层，其中该传导材料层由至少一个薄膜晶体管传导材料层组成，并且该传导材料层的...

本发明公开了一种薄膜晶体管及平板显示装置。该薄膜晶体管具有布置于基底上的半导体层、布置于基底上和半导体层上的栅极绝缘层、以及布置于栅极绝缘层上的栅极，栅极绝缘层布置成厚度为从等于半导体层厚度至半导体厚度的１．５倍。栅极绝缘层可仅是氮化物...

本发明涉及一种多晶硅薄膜的制造方法，该方法通过使用具有激光透射区和非透射区混合结构的掩模而能够利用激光得到均匀结晶的多晶硅薄膜，其中激光透射区基于激光扫描方向轴线不对称，激光透射区基于某一中心轴线对称，将激光透射区在平行于该中心轴线的另...

本发明涉及制造多晶硅薄膜的方法，其中使用具有激光可透图形组和激光不可透图形组的混合结构的掩膜，通过激光使非晶硅结晶，其中掩膜包括两个或者多个点图形组，其中不可透图形垂直于扫描方向轴，且点图形组具有一定的形状，并且包括第一不可透图形，其在...