平板显示器中使用的薄膜晶体管的新颖导电元件制造技术

一种用于薄膜晶体管的电极的新颖的设计。该新颖的设计使得即使在进行热处理工艺之后，在源极和漏极之间仍形成正常的导电沟道，以及一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。该薄膜晶体管包括了源极、漏极、栅极和半导体层，其中源极、漏极和栅极中的至少一个包含了铝合金层，在该铝合金层的两个表面上都形成钛层。因为纯铝会扩散到半导体层中而造成缺陷区域并阻碍了在该薄膜晶体管中形成导电沟道，因此该电极优选不含有任何纯铝。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及了平板显示器薄膜晶体管。更具体地说，本专利技术涉及薄膜晶体管的电极的新颖结构，该结构不会造成显示器中的薄膜晶体管的半导体材料退化。
技术介绍
薄膜晶体管(下文称作是TFT)是一种根据施加给栅极的电压其源极和漏极通过半导体层中形成的沟道可被电连接的器件，该半导体层物理连接源极和漏极。TFT主要用于诸如电致发光显示器和液晶显示器的有源矩阵平板显示器中。TFT起到了独立驱动平板显示器中的子像素的作用。平板显示器的TFT面板上形成的源极和栅极通过导线被连接到布置在平板显示器的侧面上的驱动电路。通常，为了简化制作工艺，源极、漏极和电连接该源极和漏极的导线是具有相同结构、使用相同材料、在相同时间形成的。以下，把源极、漏极和将它们电连接的导线简单地称作是“S/D电极和引线”。S/D电极和引线可以由铬(Cr)基金属或者是诸如Mo和MoW的钼(Mo)基金属来制得。然而，由于其电阻相对较高，在大的平板显示器中使用这样的金属来形成S/D电极和引线是不太实际的。最近人们注意力放在了用铝(Al)来作为S/D电极和引线的材料。然而使用纯Al存在一个问题，即在热处理过程中Al会扩散到半导体层中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括源极、漏极、栅极和半导体层，其中该源极、漏极和栅极之一包括布置在一对钛层之间的铝合金层。

【技术特征摘要】
KR 2003-3-12 15357/031.一种薄膜晶体管，包括源极、漏极、栅极和半导体层，其中该源极、漏极和栅极之一包括布置在一对钛层之间的铝合金层。2.权利要求1的薄膜晶体管，其中铝合金层包括大约0.1到5wt％的至少一种从硅、铜、钕、铂和镍组成的组中所选择的元素。3.权利要求1的薄膜晶体管，其中扩散阻挡层被插入在铝合金层与该对钛层的每个钛层之间。4.权利要求3的薄膜晶体管，其中扩散阻挡层是由氮化钛构成的。5.权利要求4的薄膜晶体管，其中氮化钛层的厚度在100和500埃之间。6.权利要求4的薄膜晶体管，其中氮化钛层含有5到85wt％的氮。7.权利要求1的薄膜晶体管，每个电极都不存在纯铝。8.一种平板显示器，包括衬底；在该衬底的表面上形成的第一多个薄膜晶体管，该第一多个薄膜晶体管包括第一源极、第一漏极、第一栅极和半导体层；多个第一导线，电连接到第一源极；以及多个第二导线，电连接到第一栅极；第二多个薄膜晶体管，其中第一多个薄膜晶体管的第一漏极电连接到第二多个薄膜晶体管的栅极，其中第一源极、第一漏极、第一栅极、多个第一导线和多个第二导线之一包括铝合金层以及在该铝合金层的一个表面上形成的钛层。9.权利要求8的平板显示器，其中铝合金层包括大...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰成，俞庚辰，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]