平板显示器中使用的薄膜晶体管所用的新颖导电材料制造技术

提供一种用于ＴＦＴ显示器中导电元件的结构。该结构是基于铝的并且经过热处理。热处理后，由于存在钛层而不会形成小丘。此外，由于在铝与钛层之间存在ＴｉＮ扩散层而不形成ＴｉＡｌ↓［３］。这种新颖结构具有低电阻率，因此适用于采用薄膜晶体管来驱动像素的大型显示器。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平板显示器中的薄膜晶体管。更具体地说，本专利技术涉及在薄膜晶体管结构中建立的电极和导线的新颖结构，该结构具有小的电阻损耗，防止图像质量因大型平板显示器中的电阻损耗而降级。
技术介绍
薄膜晶体管(以下称为TFT)是这样一种器件，其源极和漏极可以通过半导体层中形成的沟道来电连接，该沟道根据加到栅极上的电压来物理连接源极和漏极。TFT主要用于诸如场致发光显示器和液晶显示器之类的有源矩阵平板显示器的TFT板中。TFT用于独立驱动构成显示的子像素。平板显示器中形成的薄膜晶体管的源极和栅极通过导线连接到在平板显示器边上设置的驱动电路。一般来讲，源极、漏极以及与源极和漏极电连接的导线通常一起形成，并且具有为简化制造工艺而采用相同材料的相同结构。源极、漏极和与之电连接的导线可以由基于铬(Cr)的金属或者基于钼(Mo)的金属、如Mo和MoW制成。但是，由于这些金属具有较高电阻，在TFT板具有较大尺寸或者其子像素具有较小尺寸的情况下，驱动电路与子像素之间的电压降可能增大。这导致子像素的响应速度降低或者导致图像的不均匀分布。这些速度和图像不均匀性问题由于新设计的显示器大的事实而进一步加剧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，它包括源极、漏极、栅极和半导体层，其中所述源极、所述漏极和所述栅极中至少一种包括基于铝的金属层、钛层以及插在所述钛层和所述基于铝的层之间的防扩散层。

【技术特征摘要】
KR 2003-3-12 15356/03;KR 2003-9-15 63583/031.一种薄膜晶体管，它包括源极、漏极、栅极和半导体层，其中所述源极、所述漏极和所述栅极中至少一种包括基于铝的金属层、钛层以及插在所述钛层和所述基于铝的层之间的防扩散层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散层和所述钛层按顺序在所述基于铝的金属层的相反面上形成。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散层是氮化钛层。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氮化钛层含有5-85wt％的氮。5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氮化钛层具有大约100-600的厚度。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氮化钛层具有大约100-400的厚度。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氮化钛层具有大约200-400的厚度。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氮化钛层具有大约300的厚度。9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基于铝的金属层由含大约0.5-5wt％的一种元素的铝合金制成，该元素是从由硅、铜、钕、铂和镍构成的组中选择的。10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基于铝的金属层由含大约2wt％的硅的铝-硅合金制成。11.一种平板显示器，它包括多个由薄膜晶体管驱动的子像素，每个所述薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极和半导体层，其中，所述源极、所述漏极和所述栅极中至少一种包括基于铝的金属层、钛层以及插在所述基于铝的金属层和所述钛层之间的防扩散层。12.如权利要求11所述的平板显...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰成，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]