半导体装置制造方法及图纸

一半导体装置具有一基板（１０）以及一形成于该基板范围内之主动区域（１２、１４、１６、１８），包括一第一非平面金属面（４２），其系形成于该基板（１０）上，并与一主动区域（１２、１４、１６、１８）相连接，再者，一第二平面金属面（３０）系配置于该基板（１０）之上而与该第一金属面（４２）彼此隔开，并系经由一穿透连接（４６）而与该第一金属面（４２）相连接。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于一半导体装置，特别系关于一场效晶体管或是其它有源装置(active device)，其具有平面或非平面金属面或是分别具有金属面的平面与非平面部分。
技术介绍
使用LDMOS晶体管(LDOMS＝lateral diffused metal oxidesemiconductor，侧向扩散金属氧化物半导体)作为大信号放大器，例如使用于基地台或是行动电话中。市面上可购得的该LDMOS晶体管可分为两种形式。第一种形式系包含一或数个平面金属面，其分别经由接触孔与信道或是穿透孔导体，连接至该场效晶体管的源极、漏极与栅极，且其亦系使用标准CMOS技术。第1A图之实施例系说明一已知场效晶体管与一或数个平面金属面的结合。第1A图为场效晶体管概示图，该场效晶体管系形成于一基板10中。在该基板10中，形成一沉引物(sinker)或基板接触12，一源极区域14以及一漏极区域16。信道区域18系位于该源极区域14与该漏极区域16之间。在该信道区域18之上，形成该栅极20，其系包含一多晶硅层22，其系藉由一薄氧化层24而与该信道区域18相隔。再者，在该基板10的区域中无其它部分形成，一场氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：一基板（１０）；一形成于该基板（１０）范围内之主动区域（１２、１４、１６、１８）；一第一非平面金属面（４２），其系形成于该基板（１０）上，并与该主动区域（１２、１４、１６、１８）相接触；以及　 　一第二平面金属面（３０），其系于该基板（１０）之上配置为与该第一金属面（４２）彼此隔开，并经由一穿透连接（ｔｈｒｏｕｇｈ　ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ，４６）而与该第一金属面（４２）相连接。

【技术特征摘要】
DE 2003-3-11 10310554.91.一种半导体装置，其包括一基板(10)；一形成于该基板(10)范围内之主动区域(12、14、16、18)；一第一非平面金属面(42)，其系形成于该基板(10)上，并与该主动区域(12、14、16、18)相接触；以及一第二平面金属面(30)，其系于该基板(10)之上配置为与该第一金属面(42)彼此隔开，并经由一穿透连接(through connection，46)而与该第一金属面(42)相连接。2.根据权利要求1所述之半导体装置，其中该半导体装置包括一场效晶体管，其具有一栅极(20)，一源极区域(14)以及一漏极区域(16)，其中该第一非平面金属面(42)包括一第一部份(42a)连接至该源极区域(14)，一第二部分(42b)连接至该漏极区域(16)以及一第三部...

【专利技术属性】
技术研发人员：C赫祖姆，U克鲁贝恩，C科恩，H塔蒂肯，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]