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一半导体装置具有一基板（１０）以及一形成于该基板范围内之主动区域（１２、１４、１６、１８），包括一第一非平面金属面（４２），其系形成于该基板（１０）上，并与一主动区域（１２、１４、１６、１８）相连接，再者，一第二平面金属面（３０）系配置于该...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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