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提供一种用于ＴＦＴ显示器中导电元件的结构。该结构是基于铝的并且经过热处理。热处理后，由于存在钛层而不会形成小丘。此外，由于在铝与钛层之间存在ＴｉＮ扩散层而不形成ＴｉＡｌ↓［３］。这种新颖结构具有低电阻率，因此适用于采用薄膜晶体管来驱动像素的...
该专利属于三星SDI株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社授权不得商用。

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