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三星SDI株式会社专利技术
三星SDI株式会社共有8396项专利
非水电解液可再充电电池用负极活性材料及其制备方法技术
本发明公开了一种用于非水电解液可再充电电池的负极活性材料及其制备方法,该方法包括:混合钒化合物和锂化合物,然后对所得混合物进行第一焙烧以得到具有层状岩盐型结构的Li↓[1.0](V↓[x]M↓[y])↓[1.0]O↓[2],其中0.5≤...
袋状锂二次电池制造技术
一种袋状锂二次电池,包括:电池单元,该电池单元包括正电极板、负电极板,以及设置在正电极板和负电极板之间的隔板;与正电极板电连接的正电极接头;与负电极板电连接的负电极接头;具有容纳电池单元的空间和围绕该空间的密封边缘的壳体;以及向正电极接...
袋型电池组制造技术
一种袋型电池组包括:第一袋状电池和邻近所述第一袋状电池的第二袋状电池,其中所述第一袋状电池和第二袋状电池通过将所述第一袋状电池的边缘与所述第二袋状电池的边缘彼此联结而结合。这样,在所述袋状电池从所述袋型电池组分离时,其裸单电池可不受损害...
袋型锂二次电池制造技术
本发明公开了一种袋型锂二次电池,其包括:电极组件,所述电极组件包括分别与两个电极相连的电极接片,所述两个电极具有不同的极性;和壳体,所述壳体容纳所述电极组件使得所述电极接片延伸到所述壳体之外,其中在所述壳体的密封部中形成一个台阶部,所述...
锂二次电池用正极活性材料,其制备方法和锂二次电池技术
本发明公开了一种用于锂二次电池的正极活性材料,其制备方法,以及含有所述正极活性材料的锂二次电池。所述正极活性材料用下列通式表示:LiNi↓[(1-x-y)]Co↓[x]Al↓[y]O↓[2]或LiNi↓[(1-x-y)]Co↓[x]Mn...
袋型二次电池制造技术
一种袋型二次电池,包括:电极组件,其包括第一电极板、第二电极板和布置在其间的隔板;和袋状壳体,包括具有用来容纳所述电极组件的袋的第一壳体部分,布置在所述袋的开口端的第二壳体部分和用来将所述第二壳体部分密封至所述第一壳体部分的密封部。所述...
燃料电池的膜电极组件及其制备方法以及包含它的燃料电池技术
本发明的燃料电池的膜电极组件包括聚合物电解液膜,所述聚合物电解液膜的每一侧均具有无机细粒层。催化剂层布置在所述无机细粒层上,气体扩散层布置在所述催化剂层上。所得的聚合物电解液膜改善了电池效率。
袋状锂二次电池制造技术
一种袋状锂二次电池,包括:电池单元,该电池单元包括正电极板、负电极板,以及设置在正电极板和负电极板之间的隔板;与正电极板电连接的正电极接头;与负电极板电连接的负电极接头;具有容纳电池单元的空间和围绕该空间的密封边缘的壳体;以及向正电极接...
包括缩水甘油醚化合物的有机电解液和使用其的锂电池制造技术
有机电解液包括锂盐;含高介电常数溶剂和/或低沸点溶剂的有机溶剂;由式1表示的缩水甘油醚化合物,其中n、R↓[1]、R↓[2]、R↓[3]、R↓[4]、R↓[5]、R↓[6]和A如说明书中所述。在常规的有机电解液中,由于极性溶剂的分解,不...
太阳能电池及其制造方法技术
提供一种太阳能电池,其包括:相互面对的第一电极和第二电极;插入第一电极和第二电极之间并在其上吸收有染料的多孔膜;插入第一电极和第二电极之间的电解质;和插入第一电极和多孔膜之间并具有至少两层的缓冲层。根据该太阳能电池的结构,通过避免具有多...
太阳能电池及其制造方法技术
一种改进效率的太阳能电池及其制造方法,包括:在半导体基板的表面上形成多孔层;在多孔层上喷射含掺杂物的化合物;以及通过扩散掺杂物在半导体基板的表面上形成发射体层。
有机发光显示装置制造方法及图纸
本发明公开了一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:基底,具有显示区;薄膜晶体管(TFT),设置在基底的显示区中;电极电源线,设置在基底的显示区的外部;第一绝缘层,覆盖TFT,并具有第一开口部分,其中,通过第一开口部分暴露电极电源...
发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明公开了一种发光显示装置及其制造方法,该发光显示装置包括:位于基底上的发光二极管和薄膜晶体管,发光二极管和薄膜晶体管彼此电连接;位于基底上的光电二极管,光电二极管包括彼此连接的本征区和P型掺杂区。
有机发光装置制造方法及图纸
本发明提供一种有机发光装置,该装置包括第一电极、第二电极、插入第一电极和第二电极之间的发光层、插入第一电极和发光层之间的空穴注入层。所述空穴注入层包括第一化合物和第二化合物,第一化合物含有从Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、...
薄膜晶体管的轻掺杂漏极/偏置结构的制造方法技术
薄膜晶体管的制造方法。首先在衬底上形成有源层,之后,在有源层上形成第一绝缘层。之后,在第一绝缘层上形成栅极图形,并用栅极图形作掩模给有源层进行离子轻掺杂而形成轻掺杂漏极区。用电化学聚合工艺在栅极图形表面上形成聚合物层,用淀积有聚合物层的...
制造薄膜晶体管的方法技术
一种制造薄膜晶体管的方法包括下述步骤:在衬底的一表面形成一沟道区域;在衬底的该表面沉积一绝缘层,同时覆盖所述沟道区域并构建绝缘层;在该绝缘层上沉积一硅层;在硅层上沉积一金属层并蚀该硅和金属层以限定源、漏和门电极区;在与-MOS电路对应的...
制造薄膜晶体管的方法技术
一种制造薄膜晶体管的方法包括下述步骤:在衬底上沉积一缓冲层和活动层;在该活动层上沉积一绝缘层并在其上形成门电极;在门电极的光阻层涂覆门电极的侧面;在活动层的两边形成接触层,将涂覆的门电极用作掩模;在活动层处形成轻掺杂的漏极区域;在门电极...
薄膜晶体管及其制造方法技术
本发明公开一种制造具有高电场迁移率的薄膜晶体管的方法,包括:在绝缘衬底上形成非晶硅层和阻挡层;在阻挡层上形成具有第一、二构图的光致抗蚀剂层;以第一光致抗蚀剂构图为掩膜蚀刻阻挡层,形成第一、二阻挡层构图;回流光致抗蚀剂层,使第一、二光致抗...
平板显示器及其制造方法技术
一种平板显示器,包括: 一绝缘衬底,其包括一薄膜晶体管区和一电容器区,所述薄膜晶体管区包括一个具有一半导体层、一栅电极、以及源电极和漏电极的薄膜晶体管,所述电容器区包括具有第一和第二电容器电极的一电容器;以及 一绝缘层,其包...
制造薄膜晶体管的方法技术
一种制造薄膜晶体管的方法,包括: 在一个衬底上形成一个半导体层; 在该衬底的整个表面上形成一个栅极绝缘层以覆盖该半导体层; 在栅极绝缘层上沉积一个导电层; 在导电层上形成一个光敏图案; 根据光敏图案构图导电...
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