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三星SDI株式会社专利技术
三星SDI株式会社共有8396项专利
平板显示器及其制造方法技术
公开了一种平板显示器及其制造方法。在平板显示器中,衬底包括具有多个单位象素的象素区域,和位于象素区域周围的外围电路区域。外围电路区域还包括用于驱动多个单位象素的驱动电路。至少一个电路薄膜晶体管位于外围电路区域,并且包括由顺序横向凝固方法...
有机电致发光显示器制造技术
特别地,本发明的一个实施例提供了一种有机电致发光显示器,其包括:形成在下绝缘衬底上的发光器件;和安装成封装发光器件的上衬底,其中上衬底配置有干燥剂,该干燥剂形成有至少一个穿过干燥剂的孔。孔通过允许俘获在干燥剂和衬底之间的气体逃逸而防止在...
薄膜晶体管及其制造方法技术
提供了一种薄膜晶体管及其制造方法,不仅改善了电学特性,如电子迁移率,而且还改善了整个衬底的电学特性的均匀性。薄膜晶体管包括具有MILC区的半导体层,该MILC区具有通过MILC法结晶的第一晶粒和设置在第一晶粒之间并具有不同于第一晶粒的晶...
电容器和具有此电容器的平板显示器制造技术
提供了一种可以防止电极边沿部分处的电流泄漏、绝缘层破坏、以及短路的电容器以及一种包括此电容器的平板显示器。此电容器包括至少二个排列成叠层结构且彼此隔离的电极,其中,各个电极小于下部电极。
有机电致发光器件制造技术
提供了一种有机电致发光(EL)器件,其包括:包含像素部分的基板以及覆盖该基板的密封盖,其中在基板和密封盖彼此接触的表面上排布一弹性构件。该有机EL器件还进一步包括在所述接触表面上的粘合剂。具有密封结构的该有机EL器件有效的防止外部湿气或...
全色有机电致发光器件制造技术
本发明提供了一种全色有机电致发光器件,其包括:一衬底;一形成在该衬底上的第一电极;一形成在该第一电极上的有机发光层,该有机发光层具有分别在一红色像素区域、一绿色像素区域和一蓝色像素区域中被构图的一红色发光层、一绿色发光层和一蓝色发光层,...
有机电致发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明涉及一种改进的有机电致发光显示装置。在一个实施例中,OLED包括形成在绝缘衬底上非发射区中并还具有源和漏电极的薄膜晶体管。OLED还包括形成在所述绝缘衬底上发射区中并经由接触孔连结到所述源和漏电极中的一个电极的下电极。OLED还包...
薄膜晶体管制造技术
本发明的薄膜晶体管可包括栅绝缘层和底图形,底图形位于栅绝缘层下方并与栅绝缘层接触、具有至多约80°的锥角的边缘。采用这种设计,能够提高栅绝缘层的介电强度。底图形可以是栅电极层。
薄膜晶体管及制造方法、使用该薄膜晶体管的平板显示器技术
本发明公开一种薄膜晶体管,包括:有源层,该有源层形成在绝缘衬底上,并且具有源极/漏极区域和沟道区域;形成在有源层上的栅极绝缘薄膜;和形成在该栅极绝缘薄膜上的栅极电极。该栅极电极可由导电金属薄膜图案和覆盖该导电金属薄膜图案的导电氧化物薄膜...
薄膜晶体管及其制造方法、使用该薄膜晶体管的平板显示器技术
一种带有GOLDD结构的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括有源层,该有源层形成在绝缘衬底上并且具有源极/漏极区域和沟道区域。栅极绝缘薄膜可形成在有源层上,栅极电极可形成在该栅极绝缘薄膜上。该栅极电极可包括第一栅极图案和在该第一栅极图案侧面形成...
有机电致发光显示器制造技术
一种有机电致发光显示器,包括一设置有多个像素的像素部分,其上设有一第一电极、一第二电极和一置于第一电极和第二电极之间的有机薄膜层,一用于向像素部分的像素提供第一电平电压的第一电源线,和一至少有一区域与第二电极搭接用于向第二电极提供第二电...
薄膜晶体管制造技术
本发明公开一种薄膜晶体管,包括:形成于绝缘衬底上的有源层并具有沟道区和源/漏区;对应有源区的沟道区形成的栅极电极;在有源层中与源/漏区分离地形成的体接触区;分别连接至源/漏区的源/漏极电极;以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线。
薄膜晶体管及其制造方法技术
本发明涉及一种通过金属诱导横向晶化工艺形成的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括具有源极/漏极区域和沟道区域的有源层、栅极电极、具有暴露每个源极/漏极区域的一部分的接触孔的绝缘层、和暴露有源层的一部分的晶化诱导图案。源极/漏极电极通...
薄膜晶体管、其制造方法和使用薄膜晶体管的平板显示器技术
本发明公开了一种具有GOLDD结构的薄膜晶体管、其制造方法和使用该薄膜晶体管的平板显示器,这种薄膜晶体管可以包含:形成在绝缘衬底上并且具有源极/漏极区以及沟道区的有源层;形成在有源层上的栅极绝缘膜;和形成在栅极绝缘膜上的栅极电极。栅极电...
薄膜晶体管及其制造方法技术
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。更具体地,提供一种具有薄膜晶体管的薄膜晶体管和及其制造方法,其中在衬底表面上在薄膜晶体管的源极/漏极电极上依次形成无机层和有机平坦化层,该薄膜晶体管具有半导体层、栅极、源极/漏极区域和源极/漏极电...
具有轻掺杂漏极结构的薄膜晶体管制造技术
一种具有LDD结构的薄膜晶体管,其可以改善其沟道可靠性与输出特性。一半导体层包括源/漏极区域、一位于源/漏极区域之间的沟道区域、以及一位于沟道区域和源/漏极区域之间的LDD区域,其中在半导体层上掺杂的离子的投射范围从LDD区域中的半导体...
制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管技术
一种制造多晶硅薄膜的方法,其制造用于制成薄膜晶体管的多晶硅薄膜。该方法包括在基材上沉积包含非晶硅的硅薄膜,并且在预定温度下和H↓[2]O气氛中对硅薄膜进行热处理。因此,当通过固相结晶法结晶非晶硅时,降低了结晶温度和热处理时间,并且由于在...
施主薄片及其制造方法、及制造晶体管和显示器的方法技术
一种柔性平板显示器,其中毫微粒子用于活性层并且衬底是柔性塑料,一种制造所述柔性平板显示器的方法,一种使用施主薄片制造薄膜晶体管(TFT)的方法,以及一种使用施主薄片制造平板显示器的方法。在制造显示器内的TFT中,施主薄片用来把毫微粒子从...
平板显示器及其制造方法技术
本发明公开了一种平板显示器及其制造方法,该显示器具有大电容和高孔径比。在绝缘衬底上形成一薄膜晶体管和一电容器。所述薄膜晶体管包括一半导体层、一栅电极、以及源电极和漏电极。所述电容器具有第一和第二电容器电极以及一层介电层。在晶体管上形成一...
有机场效应晶体管及制造方法和含该晶体管的平板显示器技术
本发明公开了一种有机场效应晶体管、一种制造该有机场效应晶体管的方法、以及一种包括该有机场效应晶体管的平板显示器件。该有机场效应晶体管包括有机半导体层、栅电极和载荷子阻挡层。该载荷子阻挡层置于栅电极和有机半导体层之间,且包含半导体材料。
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