薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管，包括：形成于绝缘衬底上的有源层并具有沟道区和源／漏区；对应有源区的沟道区形成的栅极电极；在有源层中与源／漏区分离地形成的体接触区；分别连接至源／漏区的源／漏极电极；以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可以在显示设备中使用的薄膜晶体管，更特别地是涉及一种具有栅极电极的栅极体接触(gate-body contact)薄膜晶体管，该栅极电极与用于有源层中形成的主体接触区域的杂质区相连接。
技术介绍
在平板显示器中使用的多晶硅薄膜晶体管可以是浮体(floating body)TFT，其中岛型有源层可以浮动。随着器件的小型化，所以浮体TFT可能会有漏电流和漏电流的饱和区两者减小的问题。在韩国专利申请No.2003-052709中讨论了试图解决该问题的具有栅极体接触结构的薄膜晶体管。在该文献中描述的器件具有如下优点可以进行低电压驱动，并且，通过形成体接触区和施加栅极电压可以提供具有陡坡的阈值电压和高漏电流，该体接触区可以具有与有源层中的源/漏区相反的导电性。然而，这种薄膜晶体管需要用于连接体接触区和栅极电极的额外布线。在形成有源层之前可以进行额外的布线工艺以使金属连接布线直接接触非晶硅层，但该方法可能会产生如下问题，连接布线的金属材料污染有源层。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个方面是提供一种栅极体接触薄膜晶体管及其可以简化工艺并防止由于金属材料而引起的有源层污染的制造该栅极体接触薄膜晶体管的方法。根据本专利技术的一个方面，可以提供一种薄膜晶体管，包括形成在绝缘衬底上并具有沟道区和源/漏区的有源层；布置于有源层的沟道区中的栅极电极；在有源层上与源/漏区分开地形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线。导电布线可以由与栅极电极相同的材料制成，并可以以具有栅极电极的主体或分离的岛状桥型图案的形式形成，导电布线可以由与栅极电极不同的材料组成，且可以具有与栅极电极隔开的桥型图案结构。该导电布线包括具有岛型桥图案(bridge pattern)的接触布线，由与栅极电极相同的材料制成并连接至体接触区；连接布线由与接触布线不同的材料制成并用于连接接触布线和栅极电极。导电布线可以由与源/漏极电极相同的材料或者由与源/漏极电极不同的材料制成，并具有岛型桥图案结构。该导电布线可以有桥图案结构，且包括由与源/漏极电极相同的材料制成的第一和第二接触布线并分别连接至栅极电极和体接触区；以及由与第一和第二接触布线不同的材料制成的连接布线并用于连接第一和第二接触布线。导电布线可以由透明导电层制成并可以有岛型桥图案结构。该导电布线包括由透明导电材料制成并分别连接至栅极电极和体接触区的第一和第二接触布线；以及由与第一和第二接触布线不同的材料制成并用于连接第一和第二接触布线的连接布线。源/漏区和体接触区具有彼此导电性相反的杂质区，沟道区可以是本征区。而且，可以提供一种包括至少一个像素电极的平板显示器的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括形成于绝缘衬底上且具有沟道区和源/漏区的有源层；对应有源层的沟道区形成的栅极电极；在有源层中与源/漏区分离地形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线，其中布线可以以具有栅极电极的主体或分离的岛型桥图案的形式形成，并且布线可以由与栅极电极、源/漏极电极或像素电极中的至少一种电极相同的材料制成。而且，可以提供一种薄膜晶体管，包括形成于绝缘衬底上并且具有沟道区和源/漏区的有源层；形成于衬底上以便覆盖有源层的第一绝缘层；对应有源区的沟道区形成的栅极电极；形成覆盖栅极电极的第二绝缘层；在有源层中与源/漏区分离地形成的主体接触层；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；形成于第一绝缘层上以露出部分体接触区的接触孔；和通过接触孔连接体接触区和栅极电极的导电布线。该导电布线可以与栅极电极的基本共面(roughly coplanar)形成，并且导电布线通过接触孔电连接栅极电极和体接触区。可以从栅极电极延伸形成导电布线，并且导电布线通过接触孔电连接栅极电极和体接触区。而且，可以提供一种薄膜晶体管，包括形成于绝缘衬底上并具有沟道区和源/漏区的有源层；在衬底上形成以便覆盖有源层的第一绝缘层；对应有源区的沟道区形成的栅极电极；形成覆盖栅极电极的第二绝缘层；在有源层中与源/漏区分离地形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；在第一和第二绝缘层的至少第二绝缘层上形成以便露出部分栅极电极的第一接触孔；在第一和第二绝缘层的至少第一绝缘层上形成以便露出部分体接触区的第二接触孔；以及至少通过第一接触孔和第二接触孔的第二接触孔连接体接触区和栅极电极的导电布线。当布线可以与栅极电极的基本共面形成时，栅极电极和体接触区可以仅通过形成于第一绝缘层上的第二接触孔由布线电连接；且当布线可以与源/漏极电极基本共面形成时，栅极电极和体接触区可以仅通过形成于第二绝缘层上的第一接触孔以及穿过第一和第二绝缘层形成的第二接触孔由布线电连接。而且，可以提供一种用于至少包括一个像素电极的平板显示器的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括形成于绝缘衬底上并具有沟道区和源/漏区的有源层；形成于衬底上覆盖有源层的第一绝缘层；对应有源层的沟道区形成的栅极电极；形成覆盖栅极电极的第二绝缘层；在有源层中与源/漏区分离形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；在像素电极下形成的第三绝缘层；至少在第一至第三绝缘层的第二绝缘层上形成以露出部分栅极电极的第一接触孔；至少在第一至第三绝缘层的第一绝缘层上形成以露出部分体接触区的第二接触孔；和通过第一接触孔和第二接触孔的至少第二接触孔连接体接触区和栅极电极的导电布线。当布线是与栅极电极基本共面形成时，栅极电极和体接触区仅通过形成于第一绝缘层上的第二接触孔由布线电连接；当布线是由与源/漏极电极基本共面形成时，栅极电极和体接触区通过形成于第二绝缘层中的第一接触孔以及穿过第一和第二绝缘层形成的第二接触孔由布线电连接；当布线与像素电极基本共面形成时，栅极电极和体接触区通过穿过第二和第三绝缘层形成的第一接触孔以及穿过第一至第三绝缘层形成的第二接触孔由布线电连接。从下面的示范性实施例的详细描述并结合附图，本专利技术将变得更容易理解。附图说明参考附图，鉴于以下几个实施例的详细描述，本专利技术的上述和其它的特征以及优点对于那些本领域普通技术人员来说将变得更显而易见。图1是根据本专利技术第一实施例的栅极体接触薄膜晶体管的平面图。图2A是沿着图1的线1A-1A′截取的栅极体接触薄膜晶体管的截面图。图2B是沿着图1的线1B-1B′截取的栅极体接触薄膜晶体管的截面图。图2C是沿着图1的线1B-1B′截取的栅极体接触薄膜晶体管的截面图。图3是根据本专利技术第二实施例的栅极体接触薄膜晶体管的平面图。图4A是沿着图3的线2A-2A′截取的栅极体接触薄膜晶体管的截面图。图4B是沿着图3的线2B-2B′截取的栅极体接触薄膜晶体管的截面图。图4C是沿着图3的线2B-2B′截取的栅极体接触薄膜晶体管的截面图。图5是根据本专利技术第三实施例的栅极体接触薄膜晶体管的平面图。图6A是沿着图5的线3A-3A′截取的栅极体接触薄膜晶体管的截面图。图6B是沿着图5的线3B-3B′截取的栅极体接触薄膜晶体管的截面图。图6C是沿着图5的线3B-3B′截取的栅极体接触薄膜晶体管的截面图。具体实施例方式现在参考附图本专利技术将描述得更全面，其中示出了本专利技术的几个实施例。然而，本专利技术可以具体化为不同的形式且不应当解释为限定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：　　　　形成在绝缘衬底上并具有沟道区和源／漏区的有源层；　　　　布置于有源层的沟道区中的栅极电极；　　　　在有源层上与源／漏区分离地形成的体接触区；　　　　分别连接至源／漏区的源／漏极电极；以及　　　　用于连接体接触区和栅极电极的导电布线。

【技术特征摘要】
KR 2003-10-16 72337/031.一种薄膜晶体管，包括形成在绝缘衬底上并具有沟道区和源/漏区的有源层；布置于有源层的沟道区中的栅极电极；在有源层上与源/漏区分离地形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线。2.如权利要求1的薄膜晶体管，还包括具有从如下配置形式的组中选区的配置形式的导电布线以具有栅极电极的主体的形式；和以分离的岛型桥图案的形式。3.如权利要求2的薄膜晶体管，其中，导电布线由与栅极电极相同的材料制成。4.如权利要求2的薄膜晶体管，其中，导电布线由与栅极电极不同的材料制成。5.如权利要求1的薄膜晶体管，其中，体接触区和沟道区是同一层的一部分。6.如权利要求2的薄膜晶体管，其中，导电布线有岛型桥图案结构，该布线包括由与栅极电极相同的材料制成并连接至体接触区的接触布线；和由与接触布线不同的材料制成并用于连接接触布线和栅极电极的连接布线。7.如权利要求2的薄膜晶体管，其中，导电布线由与源/漏极电极相同的材料制成，并具有岛型桥图案结构。8.如权利要求2的薄膜晶体管，其中，导电布线由与源/漏极电极不同的材料制成，并具有岛型桥图案结构。9.如权利要求2的薄膜晶体管，其中，导电布线具有桥图案结构，该布线包括由与源/漏极电极相同的材料制成并连接至栅极电极和体接触区的第一和第二接触布线；和由与第一和第二接触布线不同的材料制成并用于连接第一和第二接触布线的连接布线。10.如权利要求2的薄膜晶体管，其中，导电布线为透明导电层并有岛型桥图案结构。11.如权利要求2的薄膜晶体管，其中，导电布线具有桥图案结构，该布线包括由透明导电材料制成并连接至栅极电极和体接触区的第一和第二接触布线；和由与第一和第二接触布线不同的材料制成并用于连接第一和第二接触布线的连接布线。12.如权利要求1的薄膜晶体管，其中，源/漏极电极和体接触区是具有彼此相反导电性的杂质区，且沟道区为本征区。13.一种用于平板显示器的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括形成于绝缘衬底上且具有沟道区和源/漏区的有源层；对应有源层的沟道区形成的栅极电极；在有源层中与源/漏区分离地形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线，其中，导电布线具有从如下配置形式的组中选区的配置形式以具有栅极电极的主体的形式；和以分离的岛型桥图案形式，以及其中，导电布线由与栅极电极、源/漏极电极或像素电极中的至少一种电极相同的材料制成。14.一种薄膜晶体管，包括形成于绝缘衬底上并具有沟道区和源/漏区的有源层；形成于衬底上覆盖有源层的第一绝缘层；对应有源层的沟道区形成的栅极电极；形成为覆盖栅极电极的第二绝缘层；在有源层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：具在本，崔炳德，苏明燮，金元植，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]