平板显示器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种平板显示器及其制造方法，该显示器具有大电容和高孔径比。在绝缘衬底上形成一薄膜晶体管和一电容器。所述薄膜晶体管包括一半导体层、一栅电极、以及源电极和漏电极。所述电容器具有第一和第二电容器电极以及一层介电层。在晶体管上形成一绝缘层来绝缘栅电极与源和漏电极，部分绝缘层形成为第一和第二电容器电极之间的介电层。一非平面形状的第一电容器电极和一相应形状的介电层、以及一第二电容器电极增加了电容器的容量。绝缘层的用作电容器电介质的部分形成得比绝缘层在栅电极上形成的部分薄。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
平板显示器包括液晶显示器(LCD)、有机电致发光(EL)显示器、等离子体显示板(PDP)等等。这些当中，LCD和有机EL显示器包括多个像素，该像素具有晶体管和电容器。增加电容器容量的方法包括增加电容器的表面积尺寸，减少电容器的介电层的厚度，以及使用一种具有高介电常数的材料作为介电层。这些增加电容器容量的方法中，增加电容器表面积尺寸的方法由于增加的电容器面积而减小了孔径比，而减少电容器介电层厚度的方法需要附加过程。下文中，描述平板显示器集中在有机EL显示器上。图1是说明传统有源矩阵有机EL显示器的横截面图。一层缓冲层140在一透明绝缘衬底100上形成。透明绝缘衬底100分别包括第一、第二和第三区110、120和130，且其优选地用玻璃制造。缓冲层140优选地用氧化物层制造。一层半导体层111在第一区110上的缓冲层140上形成。一层栅极绝缘层150在衬底100的整个表面上形成并覆盖半导体层111。第一金属层沉积在栅极绝缘层150上并被构图以形成一栅电极112和第一电容器电极122。栅电极112在第一区110上形成，且第一电容器电极122在第二区120本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板显示器，包括：一绝缘衬底，其包括一薄膜晶体管区和一电容器区；一薄膜晶体管，其形成在所述薄膜晶体管区上，并包括一半导体层、一栅电极、以及源和漏电极；以及一电容器，其包括第一和第二电容器电极，所述第一电容器电极具 有台阶部分。

【技术特征摘要】
KR 2001-8-6 47334/011.一种平板显示器，包括一绝缘衬底，其包括一薄膜晶体管区和一电容器区；一薄膜晶体管，其形成在所述薄膜晶体管区上，并包括一半导体层、一栅电极、以及源和漏电极；以及一电容器，其包括第一和第二电容器电极，所述第一电容器电极具有台阶部分。2.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述第一电容器电极的台阶部分是形成为条形图案的凹槽。3.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述第一电容器电极的每个台阶部分呈空洞的形式。4.根据权利要求2所述的平板显示器，其中所述凹槽具有矩形横截面、三角形横截面、梯形横截面或波浪形横截面。5.根据权利要求3所述的平板显示器，其中所述空洞具有矩形横截面、三角形横截面、梯形横截面或波浪形横截面。6.一种平板显示器，包括一绝缘衬底，其包括一薄膜晶体管区和一电容器区；一半导体层，其形成在所述薄膜晶体管区上；一绝缘层，其形成在所述绝缘衬底的整个表面上并覆盖所述半导体层；一栅电极，其形成在所述薄膜晶体管区上的栅极绝缘层上；一第一电容器电极，其形成在所述绝缘衬底的电容器区上的栅极绝缘层上并具有台阶部分；一层间绝缘层，其形成在所述绝缘衬底的整个表面上并覆盖所述栅电极和第一电容器电极并具有接触孔；源电极和漏电极，其形成在所述层间绝缘层上，并通过接触孔分别与半导体层的端部接触；以及一第二电容器电极，其形成在所述电容器区上的层间绝缘层上并电连接到源电极和漏电极之一上。7.根据权利要求6所述的平板显示器，其中所述第一电容器电极包括形成为条形图案的多个凹槽或多个空洞。8.根据权利要求7所述的平板显示器，其中每个凹槽或空洞具有矩形横截...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐诚模，具在本，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]