制造平板显示器的方法技术

本发明专利技术公开了一种改变透明导电层透射率的方法、平板显示器及其制造方法。该方法包括在一个衬底上形成透明导电膜；以及将高能量源注入到该透明导电膜中，以改变透明导电膜的透射率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示器中使用的透明导电膜，更具体地，涉及一种改变透明导电膜透射率的方法。本专利技术还涉及一种平板显示器及其制造方法。
技术介绍
透明导电膜具有超过80％的优良透射率和高电导率，并且例如用作太阳能电池或显示器的像素电极或公共电极，该显示器例如为等离子体显示板(PDP)、液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)。透明导电膜在传输光以再现色彩方面具有非常重要的作用。图1示出了一横截面视图，示出了具有作为像素电极的透明导电膜的传统有机电致发光(EL)显示器。提供一个具有第一和第二区501和502的绝缘衬底500。在第一区501上将形成像素，并将在第二区502上形成薄膜晶体管(TFT)和存储电容器。在绝缘衬底500上形成缓冲层520。在缓冲层520覆盖第二区502的部分上形成半导体层530。栅极绝缘层540形成在衬底500的整个表面上。栅电极551形成在栅极绝缘层540覆盖半导体层530的部分上。下部电容器电极552同时形成为栅电极551。离子注入n型杂质或p型杂质以形成源极区和漏极区531和532。半导体层530在源极区和漏极区531和532之间的部分533用作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造平板显示器的方法，该方法包括：提供具有第一和第二区的绝缘衬底；利用网膜版掩模分别在第一和第二区上形成像素电极和黑矩阵；在绝缘衬底的整个表面上形成绝缘层；在相应于黑矩阵的区域上形成电连接像素电极的薄膜晶 体管；在绝缘衬底的整个表面上形成平坦层；以及形成开口部分以暴露部分像素电极。

【技术特征摘要】
KR 2001-11-29 75075/01;KR 2002-1-30 5435/021.一种制造平板显示器的方法，该方法包括提供具有第一和第二区的绝缘衬底；利用网膜版掩模分别在第一和第二区上形成像素电极和黑矩阵；在绝缘衬底的整个表面上形成绝缘层；在相应于黑矩阵的区域上形成电连接像素电极的薄膜晶体管；在绝缘衬底的整个表面上形成平坦层；以及形成开口部分以暴露部分像素电极。2.如权利要求1所述的方法，其中，像素电极和...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴商一，金昌树，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]