平板显示器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在源电极和漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成具有对应于沟道区域的开口的金属层；通过使用金属层作为掩模在第一钝化层中形成沉积开口来通过第一钝化层上的开口暴露沟道区域；在沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层；以及去除金属层、有机半导体层和第二钝化层，允许形成在沉积开口中的这些层保留。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备平板显示器的方法，更特别地，本专利技术涉及能够减小对有机薄膜晶体管(“TFT”)的特性的损害的平板显示器。
技术介绍
平板显示器(“FPD”)包括具有TFT的TFT基板，这些TFT作为开关和驱动装置用于控制和驱动每个像素的操作。TFT包括栅电极、源电极和漏电极以及半导体层，其中源电极和漏电极由栅电极分离开从而界定沟道区域。半导体层通常由非晶硅或多晶硅形成。但是，现在有机半导体可以获得，并提供了可以在室温和大气压下形成的优点，而且可以施加到不耐热的塑料基板上。但是，有机半导体有着差的耐化学性和耐等离子体性。为了解决这个问题，已经提出了在形成栅极、源极和漏极之后通过将厚的半导体层插入到电极和有机半导体层之间来形成有机半导体层。然后，可以通过使用钝化层将有机半导体层构图，由此仅在沟道区域上保留有机半导体层。在构图工艺中，将钝化层涂覆在有机半导体层的整个表面上，仅暴露对应于沟道区域的层。但是，可能的是，有机半导体层可能受到构图中使用的化学品的侵袭，所以钝化层必须由不会不利地影响有机半导体层的材料形成。这种希望的材料作为涂层可能有问题。当构图有机半导体层时，由钝化层涂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在所述绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在所述源电极和漏电极上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成具有对应于所述沟道区域的开口的金属层； 通过使用所述金属层作为掩模在所述第一钝化层中形成沉积开口来通过所述第一钝化层上的开口暴露所述沟道区域；在所述沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层；以及去除所述金属层、有机半导体层和第二钝化层，而允许形成在所述沉 积开口中的这些层得以保留。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔泰荣，金俊亨，宋根圭，洪雯杓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]