一种薄膜晶体管（ＴＦＴ）的多晶硅层，包括： 有源沟道区， 其中，最大数量的主晶界存在于有源沟道区上的几率Ｐ不为０．５，该几率Ｐ由以下等式获得： Ｐ＝Ｄ－（Ｎｍａｘ－１）·Ｇｓ／Ｇｓ， 其中，Ｄ＝Ｌ·ｃｏｓθ＋Ｗ·...

一种改变透明导电膜的透射率的方法，该方法包括： 在一个衬底上形成透明导电膜；以及 将高能量源注入到该透明导电膜中，以改变透明导电膜的透射率。

本发明公开了一种形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法。形成自衬底抬高的浮置结构的方法包括：在衬底上形成膨胀引发层，该层可以由与预定反应气体的反应而产生导致体积膨胀的副产物；在合成叠层上形成用于浮置结构的目标材料层；在合成叠...

一种有机电致发光显示（ＥＬ）器件，它包括：透明衬底；一个用透明导电材料按预定图形在透明衬底上形成的第一电极单元；叠加在第一电极单元上的包括一些具有预定图案的有机层的有机ＥＬ单元；按预定图案在有机ＥＬ单元上形成的对应于第一电极单元的第二电...

一种ＣＭＯＳ薄膜晶体管，其包括： 一半导体层，其在绝缘衬底上形成为一边开口的矩形形状、或形成为Ｚ字形形状，其具有一ＰＭＯＳ晶体管区和一ＮＭＯＳ晶体管区；以及 一栅电极，该栅电极具有至少一条横过半导体层的缝， 其中，半导...

一种利用金属诱导横向结晶（ＭＩＬＣ）工艺的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括： 以Ｚ字形形状形成在绝缘衬底上的半导体层；和 与半导体层相交的栅电极，其中半导体层在不与栅电极相交的部位有ＭＩＬＣ表面，并且ＭＩＬＣ表面是通过ＭＩＬＣ工...

用于ＴＦＴ（薄膜晶体管）的多晶硅薄膜以及使用ＴＦＴ的显示装置，其中晶界的数目对载流子的运动施加重大影响，提供工作通道之间的距离“Ｓ”满足Ｓ＝ｍＧｓ.ｓｅｃθ－Ｌ的关系的双通道或多通道ＴＦＴ，并且提供通过同步化双通道或多通道的每个通道中所...

本发明公开了一种电子器件，该器件具有由易于与碳反应的金属制造的电极。在该电子器件中，其上通过利用含碳和氧的反应气体的化学气相沉积方法沉积碳纳米管的电极由这样的金属制造，该金属在与碳反应时比在与氧反应时产生更少的反应焓。因为电极由一种与碳...

本发明公开了一种具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法，该平板显示器为一种有机电致发光显示器，其中，在与像素电极相同的表面上形成了黑矩阵，该黑矩阵具有透明材料和金属材料的浓度梯度。该有机电致发光显示器的黑矩阵和像素电极仅用一道掩模操作形成。...

有机ＥＬ装置，包括： 第一电极； 空穴迁移层； 发光层；和 第二电极； 其中发光层使用光学活性低分子电荷迁移材料和高分子发光物质的混合物。

一种有机ＥＬ器件，其包括第一电极，空穴迁移层，发光层，及第二电极，其中发光层包括基质和磷光掺杂剂。

一种发光元件，在基板上形成下电极图形，在下电极图形上形成发光层图形，在发光层图形上形成透明电极，对于具有有机薄膜通过外加电流而发光的结构的发光体，透明电极的图形比下电极的图形大。而且，在下电极图形的全部区域上形成透明电极的图形。透明电极...

一种非晶硅薄膜的结晶方法，该方法包括：　　　　在衬底上形成一黑色基质层以吸收外部光，该黑色基质层的上部区域具有用于结晶的催化剂；　　　　构图该黑色基质层；　　　　在衬底和黑色基质层上形成非晶硅薄膜；和　　　　为结晶对非晶硅薄膜进行热处理。

用于构造有机发光显示器的均匀电极的方法，该方法包括：　　　　扩展激光束，使其覆盖待烧蚀的各电极的每个目标部分，以形成周期电极结构；以及　　　　使用扩展的激光束来烧蚀均匀电极的每个目标部分。

提供一种具有简单结构的能引起光谐振的有机电致发光器件，有机电致发光器件包括：透明衬底；形成在透明衬底上的半透明层；以预定的图形形成在半透明层上的第一阳极层；在第一阳极层上由金属全反射层形成的阴极层；形成在第一阳极层和阴极层之间的有机层，...

本发明涉及一种用于薄膜晶体管（ＴＦＴ）的多晶硅薄膜和采用它制造的器件，其中，通过提供一种ＴＦＴ的多晶硅薄膜、和ＴＦＴ采用该多晶硅薄膜的器件，来改善ＴＦＴ和器件的均匀性，该多晶硅薄膜的特征在于，对于互相垂直设置的晶体管ＴＲ１和ＴＲ２而言，...

一种制造使用双重或多重栅极的薄膜晶体管（ＴＦＴ）的方法，包括：　　　　计算包括Ｎｍａｘ的概率，即根据有源沟道的长度，在有源沟道区中的晶粒界面的最大数量的概率；以及　　　　调整有源沟道之间的间隙，该间隙能够在确定了形成ＴＦＴ衬底的多晶硅的...

一种具有多晶硅衬底的显示器件，包括：　　　　一显示区；　　　　位于该显示区中的多个第一薄膜晶体管；和　　　　位于该显示区的该多晶硅衬底中的主晶粒边界；　　　　其中该主晶粒边界以－３０°～３０°的角度向自该多个第一薄膜晶体管的每一个的源极...

一种薄膜晶体管，其中，存在于多晶硅中的主晶界不与该薄膜晶体管的漏极区和有源通道区间的边界相交。

一种制作基底的方法，该方法包括：　　　　制备辅助基底，该辅助基底至少具有一个平侧面；　　　　在该辅助基底上形成第一保护层，该第一保护层在液体蚀刻剂中不被溶解；　　　　在该第一保护层上形成至少一个薄膜层；　　　　将柔性主基底粘结到该薄膜层...