薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的有机电致发光设备制造技术

一种薄膜晶体管，其中，存在于多晶硅中的主晶界不与该薄膜晶体管的漏极区和有源通道区间的边界相交。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有很好的均匀性和电荷特性的薄膜晶体管，以及使用该薄膜晶体管的有机电致发光设备，且尤其是，涉及具有很好的均匀性的薄膜晶体管，其中多晶硅通过采用SLS结晶技术制造并被使用，以及使用该薄膜晶体管的有机电致发光设备。
技术介绍
当使用多晶硅制造TFT(薄膜晶体管)时，键合缺陷，如存在于包括在有源通道区的多晶硅晶粒边界上的原子悬挂键，已被知道用作载流子的陷阱。因此，当使用TFT制造有源矩阵显示基底时，晶粒的尺寸均匀性、数量和位置以及取向不仅直接或间接地对TFT特性如阈值电压(Vth)、亚阈值斜率、载流子迁移率、漏电流和设备稳定性产生重大影响，而且对取决于晶粒位置的TFT的均匀性也产生了重大影响。包括在显示设备整个衬底上的多个TFT有源通道区内的重要晶界(此后称为“主”晶界)的数量，取决于有源通道的尺寸(长度(L)，宽度(W))和每个TFT在衬底上的位置，可彼此相等或不同(图1A和图1B)。“主”晶界具有相对于电流流动方向从45°至135°的倾斜角度，且能够在形成于衬底上的多晶硅的位置上受到控制。如图1A和1B所示，对于晶粒尺寸为Gs，有源通道尺寸为L×W，且晶界倾斜角度为θ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其中，存在于多晶硅中的主晶界不与该薄膜晶体管的漏极区和有源通道区间的边界相交。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，主晶界的宽度是小于等于1μm。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，主晶界的中心与漏极区和有源通道区间的边界至少相隔0.5μm。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，主晶粒的尺寸大于有源通道区的宽度。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，主晶界和电流流动方向彼此垂直。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，主晶界相对于电流流动方向的角度是从45°至135°。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，多晶硅通过连续侧向凝固方法制造。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，在有源通道区内不存在主晶界。9.一种有机电致发光设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴志容，朴惠香，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：