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一种薄膜晶体管，其中，存在于多晶硅中的主晶界不与该薄膜晶体管的漏极区和有源通道区间的边界相交。...
该专利属于三星SDI株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社授权不得商用。

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